《半导体》于1976年创刊,主要刊登有关研究报告、文献综述、简报、专题研究等,杂志与时俱进,开拓进取,保持优势,敢于争先。
[1]本刊审稿周期为1个月,请勿一稿多投。论文责任者属实,署名作者的人数和顺序由作者自定,注意保守国家机密无政治差错,文责由作者自负。
[2]参考文献凡论及他人工作和观点时均要引出文献,未公开发表的文献资料一般不引用。
[3]注释采用脚注,由WORD文档自然生成,用阿拉伯数字表示序列,每页重新编码。
[4]图表凡文字能说明的内容尽量不用表和图。文中的表或图应各有表题、图题,同时必须有相应的表序号和图序号。
[5]文章题名应能反映所用关键技术及主要研究内容。中文题名的字数不超过20个汉字,英文题名一般不超过10个实词,确有必要时可使用副标题。
立即指数:表征期刊即时反应速率的指标,即该期刊在评价当年刊载的论文,每篇被引用的平均次数。
期刊他引率:期刊被他刊引用的次数占该刊总被 引次数的比例用以测度某期刊学术交流的广度、专业面的宽窄以及学科的交叉程度。
影响因子:指该刊在某年被全部源刊物引证该刊前两年发表论文的次数,与该刊前两年所发表的全部源论文数之比。
机构名称 | 发文量 | 主要研究主题 |
南开大学 | 37 | Z2000;电路;通信;芯片;扩频 |
河北工业大学 | 23 | 力传感器;感器;压力传感器;传感;传感器 |
河北大学 | 18 | 半导体;导体;晶格;半导体超晶格;超晶格 |
西安理工大学 | 13 | 半导体;碳化硅;功率器件;力传感器;晶体管 |
南京电子器件研究所 | 10 | 半导体;异质结;砷化镓;微结构;晶格 |
电子部 | 10 | GAAS;半导体;砷化镓;电路;单晶 |
西安交通大学 | 9 | 感器;波导;传感;传感器;光波 |
天津大学 | 9 | 三端电压;负阻;负阻器件;双极晶体管;晶体管 |
中国科学院 | 7 | 半导体;Y;砷化镓;半导体材料;SI |
云南师范大学 | 6 | 陶瓷;力传感器;感器;版图;版图设计 |
若用户需要出版服务,请联系出版商,地址:天津市河西区陈塘庄岩峰路,邮编:300192。本站仅做历史信息展示,不提供任何服务。