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一、WiMAX技术的定义

WiMAX全称为WorldInteroperabilityforMicrowaveAccess，即全球微波接入互操作性，是针对微波和毫米波频段提出的一种新的空中接口标准。WiMAX是IEEE802.16技术在市场推广方面采用的名称，其物理层和MAC层技术基于在IEEE802.16工作组中开发的无线城域网(WMAN)技术，WiMAX也是IEEE802.16d/e技术的别称。

二、WiMAX的产生背景

20世纪90年代宽带无线接入技术发展迅速，以本地多点分配系统(LMDS)和多信道多点分配为代表的无线技术的市场定位为小型办公室(SOHO)、中/小企业、城市商业中心等用户。但是这一产业并没有像人们预期的那样进一步繁荣壮大，一个重要的原因就是没有统一的全球性宽带无线接入标准。

1999年，IEEE成立了802.16工作组来专门研究宽带无线接入技术规范，目标是要建立一个全球统一的宽带无线接入标准。目前IEEE802.16主要提及两个标准：802.16-2004即802.16d固定宽带无线接入标准和802.16e支持移动特性的宽带无线接入标准。IEEE802.16d标准于2004年10月1日，它规范了固定接入下用户终端同基站系统之间的空中接口，主要定义空中接口的物理层和MAC层。802.16e标准的最大特点在于对移动性的支持。该标准规定了可同时支持固定和移动宽带无线接入系统，工作在＜6GHz适宜于移动性的许可频段，可支持用户终端以车辆速度移动，同时802.16d规定的固定无线接入用户能力并不因此受到影响。

IEEE802.16工作组主要针对WirelessMAN的物理层和MAC层制定规范和标准。为了形成一个可运营的网络，IEEE802.16技术必然需要其他部分的支撑，所以WiMAX论坛应运而生。WiMAX论坛成立于2001年4月，最初该组织旨在对基于IEEE802.16标准和ETSIHiperMAN标准的宽带无线接入产品进行一致性和互操作性认证，通过WiMAX认证的产品会拥有“WiMAX(r)CERTIFIED”标识。随着802.16e技术和规范的进展，该组织的目标也逐步扩展，不仅要建立一整套基于IEEE802.16标准和ETSIHiperMAN标准的认证体系，同时还致力于可运营的宽带无线接入系统的研究、需求的分析、应用模式的探索、市场的拓展等一系列大力促进宽带无线接入市场发展的工作。

三、WiMAX技术的应用模式

（一）PMP应用模式

PMP（PointtoMulti-Point）应用模式以基站为核心，采用点到多点的连接方式，构建星形结构的WiMAX接入网络。基站扮演业务接入点的角色，通过动态带宽分配技术，基站可以根据覆盖区域用户的情况，灵活选用定向天线、全向天线以及多扇区技术来满足大量的用户站接入核心网的需求。

PMP应用模式是一种常用的接入网应用形式，其特点在于网络结构简洁，应用模式与xDSL等线缆接入形式相似，因此它是一种理想的线缆替代方案。

（二）Mesh应用模式

Mesh应用模式采用多个基站以网状网方式扩大无线覆盖区。其中一个基站作为业务接入点与核心网相连，其余基站通过无线链路与该业务接入点相连。因此，作为业务接入点的基站既是接入点又是接入的汇聚点，而其余的基站既是中继站，还是业务的接入点。

Mesh应用模式的特点在于网状网结构可以根据实际情况灵活部署，实现网络的弹性延伸。

（三）热点回传模式

热点回传模式利用WiMAX无线接入网络把远端热点业务回送到核心网，WiMAX基站的作用仍为业务接入点，而WiMAX用户站是热点侧的无线接入设备，提供标准接口与热点相连，并作为WLAN接入点的热点设备再通过IEEE802.11a/b/g无线链路与无线终端连接。

WiMAX热点回传模式的主要特点在于作为业务回传应用，采用无线传输方式。与传统有线回传模式相比，其特点显而易见，可作为传统回传模式的补充或替代方案。

（四）终端接入模式

在终端接入模式下，用户终端设备直接通过作为业务接入点的WiMAX基站接入核心网。而用户终端设备若要直接接入WiMAX网络，则必须配置符合WiMAX技术标准的用户单元，用户单元是WiMAX无线网卡或无线模块。

该模式的特点在于允许用户终端直接调整接入网络，并支持便携式终端在城域范围内的移动和漫游。

（五）驻地网接入模式

驻地网接入模式主要针对集团用户，其目标是把诸如企业、校园和SOHO等用户驻地网通过WiMAX基站接入城域网。与其他应用模式相同，基站还是作为业务接入点，与核心网相连提供无线接入服务。在用户侧，用户无线接入设备在一侧通过无线接口上联基站，另一侧通过标准接口（例如以太网接口、E1等）与用户驻地网设备相连。用户侧驻地网设备可以是用户路由器、交换机、集线器等网络设备，也可以是另一种无线接入点（如Wi-Fi热点），用于组成用户专用局域网。其典型实例是目前广泛存在的校园网、企业网、政府网或SOHO等形式。驻地网接入模式特别适合于线缆接入不方便，对接入带宽要求不高的驻地间接入应用。与线缆接入方式相比，快捷是该模式的竞争优势。

（六）无线桥接模式

无线桥接模式是一种点到点的无线链接方式。与远程网桥的作用相似，其目的是把地理位置分离的两个子网络通过WiMAX无线链路连接在一起。由于无线桥接采用点对点方式，两端WiMAX无线网桥设备天线的方向可以彼此对准固定，因此传输性能相对稳定，部署也相对简单。

四、WiMAX的应用场景

（一）固定应用场景

固定接入业务是802.16运营网络中最基本的业务模型，包括用户因特网接入、传输承载业务及Wi-Fi热点回程等。

（二）游牧应用场景

游牧式业务是固定接入方式发展的下一个阶段。终端可以从不同的接入点接入到一个运营商的网络中；在每次会话连接中，用户终端只能进行站点式的接入；在两次不同网络的接入中，传输的数据将不被保留。在游牧式及其以后的应用场景中均支持漫游，并应具备终端电源管理功能。

（三）便携应用场景

在这一场景下，用户可以步行连接到网络，除了进行小区切换外，连接不会发生中断。便携式业务在游牧式业务的基础上进行了发展，从这个阶段开始，终端可以在不同的基站之间进行切换。当终端静止不动时，便携式业务的应用模型与固定式业务和游牧式业务相同。当终端进行切换时，用户将经历短时间(最长为2s)的业务中断或者感到一些延迟。切换过程结束后，TCP/IP应用对当前IP地址进行刷新，或者重建IP地址。

（四）简单移动应用场景

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1茭种选择

应选择生长健壮、抗逆性强、产量高、不易发青、产茭大而嫩的茭墩为种苗。

2选地

双季茭选择海拔700m以上，单季茭选择海拔500m以上，且水源充足、排灌方便、有冷水流动、通风的田块种植。

3整地施肥

茭白生长期长，生长量大，要求土壤肥沃。整地时，先加固田埂，以利保水。冬季栽植施腐熟猪、牛栏粪37.5~50t/hm2或鸡粪15t/hm2、磷肥750kg/hm2、锌肥22.5kg/hm2，生石灰1500~2250kg/hm2；春季栽植另增施45%复合肥750kg/hm2，耕耙平整，灌水深2~3cm，达到田平、泥烂、肥足，以满足茭白生长发育的需要。

4挖苗、分苗

确定好种茭后，在挖茭苗前，先去除田间雄茭，灰茭墩，留10~20cm割去茭墩上部老叶，将老茭墩挖起，用利刀劈开，以一根带根的老茎为1株，劈口要直，不能歪斜，不伤芽，随挖、随分、随栽。

5栽植

高山茭白单季茭以10~11月栽植为主，也可在第二年的3月中旬前栽植，行距宽行1.1m、窄行60cm，株距40cm。双季茭为了提高夏茭的孕茭率，栽种时间以10月下旬至11月下旬为好。行距宽行90cm、窄行60cm，株距50cm，栽植2.7万株/hm2，栽植深度以不歪苗、不浮苗、秧苗的白色部分埋入土中即可。

6田间管理

6.1疏苗、补苗

在苗高15~20cm时进行疏苗，疏除密、弱茭苗，同时在茭墩中间压一块泥，使茭墩分蘖向四周均匀生长，以利通风透光。单季茭每墩留苗7~10根，双季茭每墩留苗10~15根。6.2灌水

茭白在整个生长期间不能断水，水位要随着不同生育阶段进行调节。茭白栽植后田间保持水深3~4cm越冬；春季茭白开始生长时，水位宜浅，保持3cm左右，以利地温升高，促发棵；4月下旬前后，可视茭白分蘖情况进行一次烤田，后灌10~15cm深水控制分蘖。孕茭期可加深到20cm的水位，但不能超过茭白眼。夏茭孕茭时天气渐热，茭白要勤换水，或活水灌溉，有利延长夏茭孕茭。秋茭收获后要落浅到3~4cm的水位。地上部枯死后的休眠期保持1cm的浅水，水位深会使薹管腐烂，影响次年的萌发。

6.3追肥

高山茭白追肥宜早不宜迟，以促苗早发，早孕茭。结合水层管理，促进前期有效分蘖，控制后期无效分蘖，促进孕茭。茭白生长期长，除施足基肥外，必须适时追肥。第一次可在萌芽时追施尿素150kg/hm2、氯化钾225kg/hm2；第二次在分蘖时施45%复合肥750kg/hm2；第三次双季茭在谷雨前、单季茭在立夏前，施45%复合肥450~750kg/hm2。夏茭采收过程中，可根据茭苗生长情况适量追肥。夏茭采收后可施45%复合肥450~750kg/hm2，以利秋茭生长。

6.4耘田除草

茭白耘田可在茭白株行间用铁耙翻动土壤，达到中耕、松土、除草的目的，并可提高土温，加速肥料的吸收利用。一般耘田进行2~3次，第一次在植株开始返青时进行，以后隔15d进行1次。

6.5清除雄茭、灰茭

雄茭和灰茭不能结茭，应随时加以去除。去除的空位，可用分蘖多的正常茭墩上的苗补上。

6.6剥枯叶、拉黄叶

剥枯叶、拉黄叶是清除枯老的叶片，增加植株间的通风透光条件。一般在夏茭采收后期开始，根据植株生长情况，把枯老的叶片剥清拉光，要求是拉清不拉伤，把拉下的黄叶踩入田间作为肥料。

6.7病虫害防治

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2栽前准备

2.1整地施肥

藤稔葡萄是多年生果树，根深叶茂才能达到早果、丰产、大粒、优质。因此，在栽植前要平整土地，开沟施肥。最好南北向开沟，挖深60～80cm、宽60～80cm的条状定植沟，沟与沟之间的距离依行距确定。开沟时，上层表土与下层底土分开堆放在沟两边，入冬后冻垡。开春后将表土和腐熟的鸡粪、羊粪、猪粪或厩肥等有机肥搅拌，填到沟的下层，拌腐熟有机肥37.5t/hm2，然后填入底土，做成“牛背式”垄，以备定植。隔2行定植沟挖1条深30cm、宽30cm的排水沟。

2.2苗木处理

定植前对根系进行修剪，剪去枯根、霉烂根及过长的根，用5°Bé石硫合剂溶液速蘸晾干。嫁接口以上3～5个芽，用多菌灵加呋喃丹溶液速蘸晾干。处理时先处理根系，待根系晾干后再处理地上部分并倒置晾干，以免药剂流至根部。

3栽植

以春栽为主，南通地区2月下旬至3月上旬为最佳栽植时间，宜早不宜迟。栽植行向的确定应考虑光照条件，一般以南北向为佳。株行距的大小应根据立地条件和架式来确定，土壤瘠薄可密些，土壤肥沃可稀些，对藤稔葡萄而言，一般篱架栽植的株行距为1.0m×（2.5～3.0）m，棚架栽植的株行距为（1.0～1.5）m×（5～6）m。为了增加土温，保持土壤湿润，抑制杂草生长，在垄上铺设地膜，挖好定植穴，选择根系发达、主侧根齐全、芽眼饱满、枝条粗壮、生长充实、无病虫害的壮苗进行定植，定植时手握苗木放入坑内，使根系均匀舒展分布，将土层层填

入坑内踏实，并把苗木向上提一下，浇水、覆土。

4整形上架

葡萄是攀缘植物，枝蔓柔软，当年定植的小苗只留1个壮芽，其余全部抹去。当长到30cm时，应将竹竿插在葡萄苗附近，用塑料布条将枝蔓绑于支架上，引蔓向上生长，切不可让幼苗卧地生长。在每行葡萄间立1排水泥支柱，一般相距5～7m，支柱规格10cm×10cm，高2.5m，埋入地下50cm，在其离地面60～70cm处拉设第1道铁丝，并将插在葡萄苗附近的竹竿上部系在铁丝上，以防风吹摇动影响葡萄苗生长，距第1道铁丝以上每隔50cm拉第2道和第3道铁丝。当定植当年的葡萄苗长到50～60cm时（距第1道铁丝5～10cm）进行摘心，摘心口以下保留顶端2～3个副梢，其余的全部抹去。当第1、第2副梢长到50cm时，将其分左右两边绑在铁丝上，并进行摘心，摘心口以下顶端副梢抽生后留3～4片叶反复摘心，其余副梢留1片叶反复摘心。第3副梢留2～3片叶反复摘心，作为培养枝，在摘心去副梢的同时应及时除去卷须。

5肥水管理

在4月20日前后普施1次0.3%的尿素溶液，每株1.5～2.5kg，当幼苗长到5～6片叶时追肥，7月底前以氮肥、磷肥、薄水尿为主，8～9月以磷肥、钾肥为主。结果树，春季开花前进行第1次追肥，以氮肥为主，适量配施磷肥，促进枝叶生长及花序分化；落花后幼果开始生长期进行第2次追肥，也以氮肥为主，适当配以磷、钾肥，促进幼果膨大；浆果开始着色进行第3次追肥，以磷、钾肥为主，促进果实和枝蔓成熟。9月下旬至10月初重施1次秋肥，施有机肥37.5t/hm2，复合肥750kg/hm2，在距葡萄根颈部50cm处顺行开沟（沟深、宽均约30cm）施入土中，充分灌水后覆土。另外，在花前对地上部分喷0.05%～0.10%的硼酸溶液或0.2%～0.5%硼砂溶液，有利于提高坐果率；若生长期较弱，叶色较淡，还可喷0.1%～0.3%尿素或0.3%磷酸二氢钾。进入结果盛期的树全年应着重施好5次肥。9月底至10月初秋施基肥。2月中下旬施萌芽肥，施薄粪水15t/hm2加尿素75kg/hm2。4月上中旬施新梢旺长肥，施复合肥300kg/hm2，尿素75kg/hm2，或者饼肥1500kg/hm2加薄粪水7500kg/hm2。果实膨大肥施复合肥225kg/hm2，硫酸钾300kg/hm2，过磷酸钙300kg/hm2。8月底施采果肥，施复合肥225～300kg/hm2，以恢复树势。在6～7月黄梅季节大雨过后应及时清沟理墒排除田间积水，做到雨止田干。6疏花疏果

藤稔葡萄俗称“乒乓”葡萄，若长出乒乓球大的葡萄，必须严格控制产量，一般产量为22.5t/hm2左右，并进行花果管理。花前3～4d在花穗以上正常叶片1/3大小叶片处留3～4片叶摘心，顶端副梢留3～4片叶反复摘心，其余副梢留1片叶反复摘心，每个强枝只能留1～2个花穗，弱枝不留穗，花前7d先疏去过多的花穗，始花期再掐除副穗和1～2cm的穗尖。花前7d和花后20d各喷1次果树促控剂PBO50～200倍液，盛花后15d用25mg/kg的GA3浸蘸花序3～5s，可促进果实果粒增大，改善品质。当果实长到黄豆大小时疏除畸形果、小粒果和过密果，用抑快净2000倍液混配40%福星6000倍液喷药后套袋。

7防治裂果

一是浆果生长期，久旱遇雨或灌大水，土壤含水量急剧变化，果肉细胞迅速吸水膨胀而果皮膨胀缓慢，从而导致裂果；二是偏施氮肥，造成碳氮比例失调，使树体营养供求不平衡，使果皮细嫩薄弱，缺乏弹性，导致裂果；三是盲目使用植物生长调节剂，如膨大剂、催熟剂等；四是病虫害，如白腐病、黑痘病、霜霉病、红蜘蛛的危害，导致裂果。防治对策：一是覆盖地膜，能防止降雨后园内积水，在干旱天气可抑制土壤水分蒸发，保持土壤水分处于充足而稳定的状态。特别是浆果生长期要注意排水，干旱时浇水，保持土壤含水量在60%左右。二是果实套袋，套袋前喷1次杀虫杀菌剂。一方面防止果皮吸水，降低裂果率，另一方面还可减少病虫的侵入。采前7d除袋，以增加光照，促使果实着色成熟。三是加强栽培管理，基肥以有机肥为主，花前追施氮肥；结果后，氮磷钾配合施用，并适当补施微肥。加强夏季修剪，使果穗合理分布，减少病菌侵染，及时绑蔓、摘心、打副梢和适当疏叶疏果，改善通风透光条件。四是合理用药，综合防治病虫害。严格控制植物生长调节剂的使用时期、浓度和次

数。

8病虫害综合防治

夏季高温多湿，易发生病虫害。危害葡萄的病虫害主要有霜霉病、黑痘病、灰霉病、白腐病等，应采取预防为主、综合防治的措施。一是冬季清园。秋后彻底清除田间病枝、枯叶、落叶和杂草以消灭越冬病原菌，冬季清园用5°Bé石硫合剂加1%五氯酚钠喷洒枝干、架材和地面。二是加强栽培管理，合理施肥，改善通风透光条件，增强树势，提高抗病能力。三是药物防治。花前以防治黑痘病为主，7～10d用1次药，主要药剂有25%多菌灵可湿性粉剂500倍液，65%的代森锌可湿性粉剂500～700倍液，70%代森锰锌可湿性粉剂600～750倍液，以上药剂应交替使用。梅雨季节低温多湿，最易发生霜霉病，可用72%杜帮克露可湿性粉剂500～600倍液，78%科博可湿性粉剂500～600倍液，70%代森锰锌可湿性粉剂600～750倍液进行防治，用药后如遇大雨，天晴后要及时补喷。果实成熟期以防治白腐病、炭疽病为主，可选用50%退菌特可湿性粉剂800～1000倍液，50%福美双可湿性粉剂500～800倍液。采果后为了保护叶片可喷1∶（0.5～0.7）∶200.0倍的波尔多液，同时注意对霜霉病的防治。

论文关键词：葡萄；优质丰产栽培；高标准建园；栽植；肥水管理；疏花疏果

论文摘要：总结了藤稔葡萄优质丰产栽培技术，包括高标准建园、栽前准备、栽植、整形上架、肥水管理、疏花疏果、防治裂果、病虫害综合防治等内容，以供葡萄种植者参考。

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关键词：机械设计；CAD技术

1CAD技术的发展

CAD(ComputerAidedDesign)是计算机辅助设计的英文缩写，是利用计算机强大的图形处理能力和数值计算能力，辅助工程技术人员进行工程或产品的设计与分析，达到理想的目的，并取得创新成果的一种技术。自1950年计算机辅助设计（CAD）技术诞生以来，已广泛地应用于机械、电子、建筑、化工、航空航天以及能源交通等领域，产品的设计效率飞速地提高。现已将计算机辅助制造技术（Com-puterAidedManufacturing，CAM）和产品数据管理技术（ProductDataManagement，PDM）及计算机集成制造系统（ComputerItegratedmanufacturingsystem，CIMS）集于一体。

产品设计是决定产品命运的研究，也是最重要的环节，产品的设计工作决定着产品75%的成本。目前，CAD系统已由最初的仅具数值计算和图形处理功能的CAD系统发展成为结合人工智能技术的智能CAD系统（ICAD）(IntelligentCAD)。21世纪，ICAD技术将具备新的特征和发展方向，以提高新时代制造业对市场变化和小批量、多品种要求的迅速响应能力。

以智能CAD（ICAD）为代表的现代设计技术、智能活动是由设计专家系统完成。这种系统能够模拟某一领域内专家设计的过程，采用单一知识领域的符号推理技术，解决单一领域内的特定问题。该系统把人工智能技术和优化、有限元、计算机绘图等技术结合起来，尽可能多地使计算机参与方案决策、性能分析等常规设计过程，借助计算机的支持，设计效率有了大大地提高。

2三维CAD技术在机械设计中的优点

通过实际应用三维CAD系统软件,笔者体会到三维CAD系统软件比二维CAD在机械设计过程中具有更大的优势,具体表现在以下几点:

2.1零件设计更加方便

使用三维CAD系统,可以装配环境中设计新零件,也可以利用相邻零件的位置及形状来设计新零件,既方便又快捷,避免了单独设计零件导致装配的失败。资源查找器中的零件回放还可以把零件造型的过程通过动画演示出来,使人一目了然。

2.2装配零件更加直观

在装配过程中,资源查找器中的装配路径查找器记录了零件之间的装配关系,若装配不正确即予以显示,另外,零件还可以隐藏,在隐藏了外部零件的时候,可清楚地看到内部的装配结构。整个机器装配模型完成后还能进行运动演示,对于有一定运动行程要求的,可检验行程是否达到要求,及时对设计进行更改,避免了产品生产后才发现需要修改甚至报废。

2.3缩短了机械设计周期

采用三维CAD技术,机械设计时间缩短了近1/3,大幅度地提高了设计和生产效率。在用三维CAD系统进行新机械的开发设计时,只需对其中部分零部件进行重新设计和制造,而大部分零部件的设计都将继承以往的信息,使机械设计的效率提高了3~5倍。同时,三维CAD系统具有高度变型设计能力,能够通过快速重构,得到一种全新的机械产品。

2.4提高机械产品的技术含量和质量

由于机械产品与信息技术相融合,同时采用CADCIMS组织生产,机械产品设计有了新发展。三维CAD技术采用先进的设计方法,如优化、有限元受力分析、产品的虚拟设计、运动方针和优化设计等,保证了产品的设计质量。同时,大型企业数控加工手段完善,再采用CAD/CAPP/CAM进行机械零件加工,一致性很好,保证了产品的质量。

3CAD技术在机械设计中的应用

3.1零件与装配图的实体生成

3.1.1零件的实体建模。CAD的三维建模方法有三种,即线框模型、表面模型和实体模型。在许多具有实体建模功能的CAD软件中,都有一些基本体系。如在AutoCAD的三维实体造型模块中,系统提供了六种基本体系,即立方体、球体、圆柱体、圆锥体、环状体和楔形体。对简单的零件,可通过对其进行结构分析,将其分解成若干基本体,对基本体进行三维实体造型,之后再对其进行交、并、差等布尔运算,便可得出零件的三维实体模型。

对于有些复杂的零件,往往难以分解成若干个基本体,使组合或分解后产生的基本体过多,导致成型困难。所以,仅有基本体系还不能完全满足机器零件三维实体造型的要求。为此,可在二维几何元素构造中先定义零件的截面轮廓,然后在三维实体造型中通过拉伸或旋转得到新的“基本体”,进而通过交、并、差等得到所需要零件的三维实体造型。

3.1.2实体装配图的生成。在零件实体构造完成后,利用机器运动分析过程中的资料,在运动的某一位置,按各零件所在的坐标进行“装配”,这一过程可用CAD软件的三维编辑功能实现。

3.2模具CAD/CAM的集成制造

随着科学技术的不断发展,制造行业的生产技术不断提高,从普通机床到数控机床和加工中心,从人工设计和制图到CAD/CAM/CAE,制造业正向数字化和计算机化方向发展。同时,模具CAD/CAM技术、模具激光快速成型技术(RPM)等,几乎覆盖了整个现代制造技术。

一个完整的CAD/CAM软件系统是由多个功能模块组成的。如三维绘图、图形编辑、曲面造型、仿真模拟、数控加工、有限元分析、动态显示等。这些模块应以工程数据库为基础,进行统一管理,而实体造型是工程数据的主要来源之一。

3.3机械CAE软件的应用

机械CAE系统的主要功能是:工程数值分析、结构优化设计、强度设计评价与寿命预估、动力学/运动学仿真等。CAD技术在解决造型问题后,才能由CAE解决设计的合理性、强度、刚度、寿命、材料、结构合理性、运动特性、干涉、碰撞问题和动态特性等。

4CAD前沿技术与发展趋势

4.1图形交互技术

CAD软件是产品创新的工具,务求易学好用,得心应手。一个友好的、智能化的工作环境可以开拓设计师的思路，解放大脑，让他把精力集中到创造性的工作中。因此,智能化图标菜单、“拖放式”造型、动态导航器等一系列人性化的功能，为设计师提供了方便。此外，笔输入法草图识别、语言识别和特征手势建模等新技术也正在研究之中。

4.2智能CAD技术

CAD/CAM系统应用逐步深入,逐渐提出智能化需求.设计是一个含有高度智能的人类创造性活动。智能CAD/CAM是发展的必然方向。智能设计在运用知识化、信息化的基础上，建立基于知识的设计仓库,及时准确地向设计师提品开发所需的知识和帮助,智能地支持设计人员，同时捕获和理解设计人员意图、自动检测失误，回答问题、提出建议方案等。并具有推理功能,使设计新手也能做出好的设计来,现代设计的核心是创新设计,人们正试图把创新技法和人工智能技术相结合应用到CAD技术中,用智能设计、智能制造系统去创造性指导解决新产品、新工程和新系统的设计制造,这样才能使我们的产品、工程和系统有创造性。

4.3虚拟现实技术

虚拟现实技术在CAD中已开始应用,设计人员在虚拟世界中创造新产品,可以从人机工程学角度检查设计效果,可直接操作模拟对象,检验操作是否舒适、方便,及早发现产品结构空间布局中的干涉和运动机构的碰撞等问题,及早看到新产品的外形,从多方面评价所设计的产品.虚拟产品建模就是指建立产品虚拟原理或虚拟样机的过程.虚拟制造用虚拟原型取代物理原型进行加工、测试、仿真和分析,以评价其性能,可制造性、可装配性、可维护性和成本、外观等,基于虚拟样机的试验仿真分析,可以在真实产品制造之前发现并解决问题,从而降低产品成本.虚拟制造、虚拟工厂、动态企业联盟将成为CAD技术在电子商务时代继续发展的一个重要方向.另外,随着协同技术、网络技术、概念设计面向产品的整个生命周期设计理论和技术的成熟和发展,利用基于网络的CAD/CAPP/CAM/PDM/ERP集成技术,实现真正的全数字化设计和制造,已成为机械设计制造业的发展趋势。

参考文献

[1]黄森彬主编.机械设计基础.高等教育出版社.

[2]荣涵锐.新编机械设计CAD技术基础〔M〕.北京:机械工业出版社,2002.

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2增施农家肥，配方施肥

采取基肥为主、追肥为辅，控氮、稳磷、补钾的施肥原则。一般施优质农肥45t/hm2，甘薯专用肥（N∶P2O5∶K2O∶B为9∶6∶17∶1）750kg/hm2或氮磷钾复合肥750kg/hm2。

3品种选择

选择抗逆性强、品质优良、色泽美观、耐贮耐运、产量高、市场畅销的品种，如豫薯10、北京红、烟薯16；大力推广脱毒种苗栽植。①豫薯10号：由河南省商丘市农科所选育。1998年引入瓦房店市，红皮浅红肉，薯形纺锤或下膨。叶、叶脉绿色，三角形，深缺刻，特短蔓，一般长50~80cm，最长120cm，终生不用翻秧。结薯特早，多而匀，产量：春薯一般75t/hm2，最高105t/hm2；夏薯52.5t/hm2，最高75t/hm2。在同一地块1年可种2季，春薯地膜覆盖80~90d，产量45t/hm2左右，可供市场淡季，效益很高。种植密度：春薯6.0万株/hm2，夏薯7.5万株/hm2。②北京红：由北京市农林科学院选育。2000年引入瓦房店市。叶、叶脉绿色，皮紫白瓤，薯形纺锤形，结薯集中整齐，蔓长1.7m左右，一般产量52.5t/hm2左右。该品种适应性广，抗病性强，耐贮藏，适宜在山区丘陵平原地种植。③烟薯16：由山东省烟台市农科院选育。2001年引入瓦房店市。叶、叶脉均为绿色，叶尖心脏形，蔓绿色，短

蔓，分枝较多，蔓粗中等，薯块下膨纺锤形，红皮浅黄肉。该品种淀粉含量高，食味好，结薯集中，薯块大而整齐，抗病性较强，且耐贮藏性好。

4培育壮苗

4.1育苗时间

种薯上床需≥10℃的有效积温110℃，即苗龄30～35d。因此，种薯一般在3月末开始育苗。

4.2催芽

用50%多菌灵可湿性粉剂600倍液浸种消毒后，再用32℃高温催芽，以利多出苗。

4.3苗床温度管理

坚持“前高、中平、后低”的原则，即上床前3～5d，苗床浇足水，床上温度控制在32~33℃左右，6~20d土温控制在20～25℃，20d后温度控制在15～20℃，并适当控制浇水。

4.4壮苗标准

节短，茎粗，苗长25cm，保证有5节，百株苗重不少于500g。

5适时早栽

5月初开始栽植，5月30日栽完，适时移栽期为5月10~20日。先栽背风向阳地块，薄地宜密，肥地宜稀。一般株行距以85~90cm×20cm为宜，栽植4.95~6.00万株/hm2。栽植前，种苗用50%多菌灵可湿性粉剂1000倍液蘸根部消毒以防病害。栽植时，甘薯苗一定斜卧栽，有2~3节在土中，土中每一节都能发根形成根系及分化块根，以促进根系发达，增加地下块根分化数量，控制食用品种特大块根形成，提高商品性，增加产值。6加强田间管理

栽后1周及时补苗，做到苗齐苗壮。早铲早趟做到二铲二趟，达到松土保墒。秧苗伸蔓达33.3cm，结束趟地改翻蔓为提蔓，甘薯茎蔓不易翻动，尤其生长中后期更需注意，对平肥地生长中期可提蔓1~2次。生长中后期出现杂草要及时人工拔除。化控防徒长，甘薯丰产长相为苗期健壮，中期生长旺盛，但茎蔓封行不易过早，以防后期早衰。对旺长的田块可在7月20日左右，喷施多效唑150倍液，控制旺长。中、上等肥力地块一般用多效唑化控4~5次，肥力较差的地块化控2~3次。8月20日至9月10日可连续喷施磷酸二氢钾300倍液。

7病虫害防治

主要病虫害有甘薯茎线虫病、甘薯黑斑病、甘薯软腐病、甘薯小象甲、小地老虎、蛴螬等，可采取综合防治措施，以有效控制田间病虫害发生。

8适时收获

篇6

NanoscienceandNanotechnology–theSecondRevolution

Abstract:Thefirstrevolutionofnanosciencetookplaceinthepast10years.Inthisperiod,researchersinChina,HongKongandworldwidehavedemonstratedtheabilitytofabricatelargequantitiesofnanotubes,nanowiresandnanoclustersofdifferentmaterials,usingeitherthe“build-up”or“build-down”approach.Theseeffortshaveshownthatifnanostructurescanbefabricatedinexpensively,therearemanyrewardstobereaped.Structuressmallerthan20nmexhibitnon-classicalpropertiesandtheyofferthebasisforentirelydifferentthinkinginmakingdevicesandhowdevicesfunction.Theabilitytofabricatestructureswithdimensionlessthan70nmallowthecontinuationofminiaturizationofdevicesinthesemiconductorindustry.Thesecondnanoscienceandnantechnologyrevolutionwilllikelytakeplaceinthenext10years.Inthisnewperiod,scientistsandengineerswillneedtoshowthatthepotentialandpromiseofnanostructurescanberealized.Therealizationisthefabricationofpracticaldeviceswithgoodcontrolinsize,composition,orderandpuritysothatsuchdeviceswilldeliverthepromisedfunctions.Weshalldiscusssomedifficultiesandchallengesfacedinthisnewperiod.Anumberofalternativeapproacheswillbediscussed.Weshallalsodiscusssomeoftherewardsifthesedifficultiescanbeovercome.

Keywords:Nanoscience,Nanotechnology,Nanotubes,Nanowires,Nanoclusters,“build-up”,“build-down”,Semiconductor

I.引言

纳米科学和技术所涉及的是具有尺寸在1-100纳米范围的结构的制备和表征。在这个领域的研究举世瞩目。例如，美国政府2001财政年度在纳米尺度科学上的投入要比2000财政年增长83%，达到5亿美金。有两个主要的理由导致人们对纳米尺度结构和器件的兴趣的增加。第一个理由是，纳米结构（尺度小于20纳米）足够小以至于量子力学效应占主导地位，这导致非经典的行为，譬如，量子限制效应和分立化的能态、库仑阻塞以及单电子邃穿等。这些现象除引起人们对基础物理的兴趣外，亦给我们带来全新的器件制备和功能实现的想法和观念，例如，单电子输运器件和量子点激光器等。第二个理由是，在半导体工业有器件持续微型化的趋势。根据“国际半导体技术路向（2001）“杂志，2005年前动态随机存取存储器（DRAM）和微处理器（MPU）的特征尺寸预期降到80纳米，而MPU中器件的栅长更是预期降到45纳米。然而，到2003年在MPU制造中一些不知其解的问题预期就会出现。到2005年类似的问题将预期出现在DRAM的制造过程中。半导体器件特征尺寸的深度缩小不仅要求新型光刻技术保证能使尺度刻的更小，而且要求全新的器件设计和制造方案，因为当MOS器件的尺寸缩小到一定程度时基础物理极限就会达到。随着传统器件尺寸的进一步缩小，量子效应比如载流子邃穿会造成器件漏电流的增加，这是我们不想要的但却是不可避免的。因此，解决方案将会是制造基于量子效应操作机制的新型器件，以便小物理尺寸对器件功能是有益且必要的而不是有害的。如果我们能够制造纳米尺度的器件，我们肯定会获益良多。譬如，在电子学上，单电子输运器件如单电子晶体管、旋转栅门管以及电子泵给我们带来诸多的微尺度好处，他们仅仅通过数个而非以往的成千上万的电子来运作，这导致超低的能量消耗，在功率耗散上也显著减弱，以及带来快得多的开关速度。在光电子学上，量子点激光器展现出低阈值电流密度、弱阈值电流温度依赖以及大的微分增益等优点，其中大微分增益可以产生大的调制带宽。在传感器件应用上，纳米传感器和纳米探测器能够测量极其微量的化学和生物分子，而且开启了细胞内探测的可能性，这将导致生物医学上迷你型的侵入诊断技术出现。纳米尺度量子点的其他器件应用，比如，铁磁量子点磁记忆器件、量子点自旋过滤器及自旋记忆器等，也已经被提出，可以肯定这些应用会给我们带来许多潜在的好处。总而言之，无论是从基础研究（探索基于非经典效应的新物理现象）的观念出发，还是从应用（受因结构减少空间维度而带来的优点以及因应半导体器件特征尺寸持续减小而需要这两个方面的因素驱使）的角度来看，纳米结构都是令人极其感兴趣的。

II.纳米结构的制备———首次浪潮

有两种制备纳米结构的基本方法：build-up和build-down。所谓build-up方法就是将已预制好的纳米部件（纳米团簇、纳米线以及纳米管）组装起来；而build-down方法就是将纳米结构直接地淀积在衬底上。前一种方法包含有三个基本步骤：1）纳米部件的制备；2）纳米部件的整理和筛选；3）纳米部件组装成器件（这可以包括不同的步骤如固定在衬底及电接触的淀积等等）。“build-up“的优点是个体纳米部件的制备成本低以及工艺简单快捷。有多种方法如气相合成以及胶体化学合成可以用来制备纳米元件。目前，在国内、在香港以及在世界上许多的实验室里这些方法正在被用来合成不同材料的纳米线、纳米管以及纳米团簇。这些努力已经证明了这些方法的有效性。这些合成方法的主要缺点是材料纯洁度较差、材料成份难以控制以及相当大的尺寸和形状的分布。此外，这些纳米结构的合成后工艺再加工相当困难。特别是，如何整理和筛选有着窄尺寸分布的纳米元件是一个至关重要的问题，这一问题迄今仍未有解决。尽管存在如上的困难和问题，“build-up“依然是一种能合成大量纳米团簇以及纳米线、纳米管的有效且简单的方法。可是这些合成的纳米结构直到目前为止仍然难以有什么实际应用，这是因为它们缺乏实用所苛求的尺寸、组份以及材料纯度方面的要求。而且，因为同样的原因用这种方法合成的纳米结构的功能性质相当差。不过上述方法似乎适宜用来制造传感器件以及生物和化学探测器，原因是垂直于衬底生长的纳米结构适合此类的应用要求。

“Build-down”方法提供了杰出的材料纯度控制，而且它的制造机理与现代工业装置相匹配，换句话说，它是利用广泛已知的各种外延技术如分子束外延(MBE)、化学气相淀积（MOVCD）等来进行器件制造的传统方法。“Build-down”方法的缺点是较高的成本。在“build-down”方法中有几条不同的技术路径来制造纳米结构。最简单的一种，也是最早使用的一种是直接在衬底上刻蚀结构来得到量子点或者量子线。另外一种是包括用离子注入来形成纳米结构。这两种技术都要求使用开有小尺寸窗口的光刻版。第三种技术是通过自组装机制来制造量子点结构。自组装方法是在晶格失配的材料中自然生长纳米尺度的岛。在Stranski-Krastanov生长模式中，当材料生长到一定厚度后，二维的逐层生长将转换成三维的岛状生长，这时量子点就会生成。业已证明基于自组装量子点的激光器件具有比量子阱激光器更好的性能。量子点器件的饱和材料增益要比相应的量子阱器件大50倍，微分增益也要高3个量级。阈值电流密度低于100A/cm2、室温输出功率在瓦特量级（典型的量子阱基激光器的输出功率是5-50mW）的连续波量子点激光器也已经报道。无论是何种材料系统，量子点激光器件都预期具有低阈值电流密度，这预示目前还要求在大阈值电流条件下才能激射的宽带系材料如III组氮化物基激光器还有很大的显著改善其性能的空间。目前这类器件的性能已经接近或达到商业化器件所要求的指标，预期量子点基的此类材料激光器将很快在市场上出现。量子点基光电子器件的进一步改善主要取决于量子点几何结构的优化。虽然在生长条件上如衬底温度、生长元素的分气压等的变化能够在一定程度上控制点的尺寸和密度，自组装量子点还是典型底表现出在大小、密度及位置上的随机变化，其中仅仅是密度可以粗糙地控制。自组装量子点在尺寸上的涨落导致它们的光发射的非均匀展宽，因此减弱了使用零维体系制作器件所期望的优点。由于量子点尺寸的统计涨落和位置的随机变化，一层含有自组装量子点材料的光致发光谱典型地很宽。在竖直叠立的多层量子点结构中这种谱展宽效应可以被减弱。如果隔离层足够薄，竖直叠立的多层量子点可典型地展现出竖直对准排列，这可以有效地改善量子点的均匀性。然而，当隔离层薄的时候，在一列量子点中存在载流子的耦合，这将失去因使用零维系统而带来的优点。怎样优化量子点的尺寸和隔离层的厚度以便既能获得好均匀性的量子点又同时保持载流子能够限制在量子点的个体中对于获得器件的良好性能是至关重要的。

很清楚纳米科学的首次浪潮发生在过去的十年中。在这段时期，研究者已经证明了纳米结构的许多崭新的性质。学者们更进一步征明可以用“build-down”或者“build-up”方法来进行纳米结构制造。这些成果向我们展示，如果纳米结构能够大量且廉价地被制造出来，我们必将收获更多的成果。

在未来的十年中，纳米科学和技术的第二次浪潮很可能发生。在这个新的时期，科学家和工程师需要征明纳米结构的潜能以及期望功能能够得到兑现。只有获得在尺寸、成份、位序以及材料纯度上良好可控能力并成功地制造出实用器件才能实现人们对纳米器件所期望的功能。因此，纳米科学的下次浪潮的关键点是纳米结构的人为可控性。

III.纳米结构尺寸、成份、位序以及密度的控制——第二次浪潮

为了充分发挥量子点的优势之处，我们必须能够控制量子点的位置、大小、成份已及密度。其中一个可行的方法是将量子点生长在已经预刻有图形的衬底上。由于量子点的横向尺寸要处在10-20纳米范围（或者更小才能避免高激发态子能级效应，如对于GaN材料量子点的横向尺寸要小于8纳米）才能实现室温工作的光电子器件，在衬底上刻蚀如此小的图形是一项挑战性的技术难题。对于单电子晶体管来说，如果它们能在室温下工作，则要求量子点的直径要小至1-5纳米的范围。这些微小尺度要求已超过了传统光刻所能达到的精度极限。有几项技术可望用于如此的衬底图形制作。

—电子束光刻通常可以用来制作特征尺度小至50纳米的图形。如果特殊薄膜能够用作衬底来最小化电子散射问题，那特征尺寸小至2纳米的图形可以制作出来。在电子束光刻中的电子散射因为所谓近邻干扰效应（proximityeffect）而严重影响了光刻的极限精度，这个效应造成制备空间上紧邻的纳米结构的困难。这项技术的主要缺点是相当费时。例如，刻写一张4英寸的硅片需要时间1小时，这不适宜于大规模工业生产。电子束投影系统如SCALPEL（scatteringwithangularlimitationprojectionelectronlithography）正在发展之中以便使这项技术较适于用于规模生产。目前，耗时和近邻干扰效应这两个问题还没有得到解决。

—聚焦离子束光刻是一种机制上类似于电子束光刻的技术。但不同于电子束光刻的是这种技术并不受在光刻胶中的离子散射以及从衬底来的离子背散射影响。它能刻出特征尺寸细到6纳米的图形，但它也是一种耗时的技术，而且高能离子束可能造成衬底损伤。

—扫描微探针术可以用来划刻或者氧化衬底表面，甚至可以用来操纵单个原子和分子。最常用的方法是基于材料在探针作用下引入的高度局域化增强的氧化机制的。此项技术已经用来刻划金属（Ti和Cr）、半导体（Si和GaAs）以及绝缘材料（Si3N4和silohexanes），还用在LB膜和自聚集分子单膜上。此种方法具有可逆和简单易行等优点。引入的氧化图形依赖于实验条件如扫描速度、样片偏压以及环境湿度等。空间分辨率受限于针尖尺寸和形状（虽然氧化区域典型地小于针尖尺寸）。这项技术已用于制造有序的量子点阵列和单电子晶体管。这项技术的主要缺点是处理速度慢（典型的刻写速度为1mm/s量级）。然而，最近在原子力显微术上的技术进展—使用悬臂樑阵列已将扫描速度提高到4mm/s。此项技术的显著优点是它的杰出的分辨率和能产生任意几何形状的图形能力。但是，是否在刻写速度上的改善能使它适用于除制造光刻版和原型器件之外的其他目的还有待于观察。直到目前为止，它是一项能操控单个原子和分子的唯一技术。

—多孔膜作为淀积掩版的技术。多孔膜能用多种光刻术再加腐蚀来制备，它也可以用简单的阳极氧化方法来制备。铝膜在酸性腐蚀液中阳极氧化就可以在铝膜上产生六角密堆的空洞，空洞的尺寸可以控制在5-200nm范围。制备多孔膜的其他方法是从纳米沟道玻璃膜复制。用这项技术已制造出含有细至40nm的空洞的钨、钼、铂以及金膜。

—倍塞（diblock）共聚物图形制作术是一种基于不同聚合物的混合物能够产生可控及可重复的相分离机制的技术。目前，经过反应离子刻蚀后，在旋转涂敷的倍塞共聚物层中产生的图形已被成功地转移到Si3N4膜上，图形中空洞直径20nm，空洞之间间距40nm。在聚苯乙烯基体中的自组织形成的聚异戊二烯（polyisoprene）或聚丁二烯（polybutadiene）球（或者柱体）可以被臭氧去掉或者通过锇染色而保留下来。在第一种情况，空洞能够在氮化硅上产生；在第二种情况，岛状结构能够产生。目前利用倍塞共聚物光刻技术已制造出GaAs纳米结构，结构的侧向特征尺寸约为23nm,密度高达1011/cm2。

—与倍塞共聚物图形制作术紧密相关的一项技术是纳米球珠光刻术。此项技术的基本思路是将在旋转涂敷的球珠膜中形成的图形转移到衬底上。各种尺寸的聚合物球珠是商业化的产品。然而，要制作出含有良好有序的小尺寸球珠薄膜也是比较困难的。用球珠单层膜已能制备出特征尺寸约为球珠直径1/5的三角形图形。双层膜纳米球珠掩膜版也已被制作出。能够在金属、半导体以及绝缘体衬底上使用纳米球珠光刻术的能力已得到确认。纳米球珠光刻术（纳米球珠膜的旋转涂敷结合反应离子刻蚀）已被用来在一些半导体表面上制造空洞和柱状体纳米结构。

—将图形从母体版转移到衬底上的其他光刻技术。几种所谓“软光刻“方法，比如复制铸模法、微接触印刷法、溶剂辅助铸模法以及用硬模版浮雕法等已被探索开发。其中微接触印刷法已被证明只能用来刻制特征尺寸大于100nm的图形。复制铸模法的可能优点是ellastometric聚合物可被用来制作成一个戳子，以便可用同一个戳子通过对戳子的机械加压能够制作不同侧向尺寸的图形。在溶剂辅助铸模法和用硬模版浮雕法（或通常称之为纳米压印术）之间的主要差异是，前者中溶剂被用于软化聚合物，而后者中软化聚合物依靠的是温度变化。溶剂辅助铸模法的可能优点是不需要加热。纳米压印术已被证明可用来制作具有容量达400Gb/in2的纳米激光光盘，在6英寸硅片上刻制亚100nm分辨的图形，刻制10nmX40nm面积的长方形，以及在4英寸硅片上进行图形刻制。除传统的平面纳米压印光刻法之外，滚轴型纳米压印光刻法也已被提出。在此类技术中温度被发现是一个关键因素。此外，应该选用具有较低的玻璃化转变温度的聚合物。为了取得高产，下列因素要解决：

1）大的戳子尺寸

2）高图形密度戳子

3）低穿刺（lowsticking）

4）压印温度和压力的优化

5）长戳子寿命。

具有低穿刺率的大尺寸戳子已经被制作出来。已有少量研究工作在试图优化压印温度和压力，但显然需要进行更多的研究工作才能得到温度和压力的优化参数。高图形密度戳子的制作依然在发展之中。还没有足够量的工作来研究戳子的寿命问题。曾有研究报告报道，覆盖有超薄的特氟隆类薄膜的模板可以用来进行50次的浮刻而不需要中间清洗。报告指出最大的性能退化来自于嵌在戳子和聚合物之间的灰尘颗粒。如果戳子是从ellastometric母版制作出来的，抗穿刺层可能需要使用，而且进行大约5次压印后需要更换。值得关心的其他可能问题包括镶嵌的灰尘颗引起的戳子损伤或聚合物中图形损伤，以及连续压印之间戳子的清洗需要等。尽管进一步的优化和改良是必需的，但此项技术似乎有希望获得高生产率。压印过程包括对准、加热及冷却循环等，整个过程所需时间大约20分钟。使用具有较低玻璃化转换温度的聚合物可以缩短加热和冷却循环所需时间，因此可以缩短整个压印过程时间。IV．纳米制造所面对的困难和挑战

上述每一种用于在衬底上图形刻制的技术都有其优点和缺点。目前，似乎没有哪个单一种技术可以用来高产量地刻制纳米尺度且任意形状的图形。我们可以将图形刻制的全过程分成下列步骤：

1．在一块模版上刻写图形

2．在过渡性或者功能性材料上复制模版上的图形

3．转移在过渡性或者功能性材料上复制的图形。

很显然第二步是最具挑战性的一步。先前描述的各项技术，例如电子束光刻或者扫描微探针光刻技术，已经能够刻写非常细小的图形。然而，这些技术都因相当费时而不适于规模生产。纳米压印术则因可作多片并行处理而可能解决规模生产问题。此项技术似乎很有希望，但是在它能被广泛应用之前现存的严重的材料问题必须加以解决。纳米球珠和倍塞共聚物光刻术则提供了将第一步和第二步整合的解决方案。在这些技术中，图形由球珠的尺寸或者倍塞共聚物的成分来确定。然而，用这两种光刻术刻写的纳米结构的形状非常有限。当这些技术被人们看好有很大的希望用来刻写图形以便生长出有序的纳米量子点阵列时，它们却完全不适于用来刻制任意形状和复杂结构的图形。为了能够制造出高质量的纳米器件，不但必须能够可靠地将图形转移到功能材料上，还必须保证在刻蚀过程中引入最小的损伤。湿法腐蚀技术典型地不产生或者产生最小的损伤，可是湿法腐蚀并不十分适于制备需要陡峭侧墙的结构，这是因为在掩模版下一定程度的钻蚀是不可避免的，而这个钻蚀决定性地影响微小结构的刻制。另一方面，用干法刻蚀技术，譬如，反应离子刻蚀(RIE)或者电子回旋共振（ECR）刻蚀，在优化条件下可以获得陡峭的侧墙。直到今天大多数刻蚀研究都集中于刻蚀速度以及刻蚀出垂直墙的能力，而关于刻蚀引入损伤的研究严重不足。已有研究表明，能在表面下100nm深处探测到刻蚀引入的损伤。当器件中的个别有源区尺寸小于100nm时，如此大的损伤是不能接受的。还有就是因为所有的纳米结构都有大的表面-体积比，必须尽可能地减少在纳米结构表面或者靠近的任何缺陷。

随着器件持续微型化的趋势的发展，普通光刻技术的精度将很快达到它的由光的衍射定律以及材料物理性质所确定的基本物理极限。通过采用深紫外光和相移版，以及修正光学近邻干扰效应等措施，特征尺寸小至80nm的图形已能用普通光刻技术制备出。然而不大可能用普通光刻技术再进一步显著缩小尺寸。采用X光和EUV的光刻技术仍在研发之中，可是发展这些技术遇到在光刻胶以及模版制备上的诸多困难。目前来看，虽然也有一些具挑战性的问题需要解决，特别是需要克服电子束散射以及相关联的近邻干扰效应问题，但投影式电子束光刻似乎是有希望的一种技术。扫描微探针技术提供了能分辨单个原子或分子的无可匹敌的精度，可是此项技术却有固有的慢速度，目前还不清楚通过给它加装阵列悬臂樑能否使它达到可以接受的刻写速度。利用转移在自组装薄膜中形成的图形的技术，例如倍塞共聚物以及纳米球珠刻写技术则提供了实现成本不是那么昂贵的大面积图形刻写的一种可能途径。然而，在这种方式下形成的图形仅局限于点状或者柱状图形。对于制造相对简单的器件而言，此类技术是足够用的，但并不能解决微电子工业所面对的问题。需要将图形从一张模版复制到聚合物膜上的各种所谓“软光刻“方法提供了一种并行刻写的技术途径。模版可以用其他慢写技术来刻制，然后在模版上的图形可以通过要么热辅助要么溶液辅助的压印法来复制。同一块模版可以用来刻写多块衬底，而且不像那些依赖化学自组装图形形成机制的方法，它可以用来刻制任意形状的图形。然而，要想获得高生产率，某些技术问题如穿刺及因灰尘导致的损伤等问题需要加以解决。对一个理想的纳米刻写技术而言，它的运行和维修成本应该低，它应具备可靠地制备尺寸小但密度高的纳米结构的能力，还应有在非平面上刻制图形的能力以及制备三维结构的功能。此外，它也应能够做高速并行操作，而且引入的缺陷密度要低。然而时至今日，仍然没有任何一项能制作亚100nm图形的单项技术能同时满足上述所有条件。现在还难说是否上述技术中的一种或者它们的某种组合会取代传统的光刻技术。究竟是现有刻写技术的组合还是一种全新的技术会成为最终的纳米刻写技术还有待于观察。

另一项挑战是，为了更新我们关于纳米结构的认识和知识，有必要改善现有的表征技术或者发展一种新技术能够用来表征单个纳米尺度物体。由于自组装量子点在尺寸上的自然涨落，可信地表征单个纳米结构的能力对于研究这些结构的物理性质是绝对至关重要的。目前表征单个纳米结构的能力非常有限。譬如，没有一种结构表征工具能够用来确定一个纳米结构的表面结构到0.1À的精度或者更佳。透射电子显微术(TEM)能够用来研究一个晶体结构的内部情况，但是它不能提供有关表面以及靠近表面的原子排列情况的信息。扫描隧道显微术（STM）和原子力显微术（AFM）能够给出表面某区域的形貌，但它们并不能提供定量结构信息好到能仔细理解表面性质所要求的精度。当近场光学方法能够给出局部区域光谱信息时，它们能给出的关于局部杂质浓度的信息则很有限。除非目前用来表征表面和体材料的技术能够扩展到能够用来研究单个纳米体的表面和内部情况，否则能够得到的有关纳米结构的所有重要结构和组份的定量信息非常有限。

篇7

桦树是桦木科落叶乔木或灌木，树高15~25m，天山南北坡均有分布，桦树喜光，不耐庇荫，较喜湿润，对土壤、气候适应性强，耐低温；萌芽力很强，采伐后可自行萌芽更新；种子小而带翅易传播。在林区的皆伐迹地和火烧迹地上，桦树能作为先锋树种迅速侵入，形成纯林。桦树是速生树种，幼年生长快，在立地条件中等地方，每年高生长量可达1m。15年左右开始结实，且结实较丰，大、小年不明显。桦树树冠圆形，树势优美，生长迅速，树皮洁白，秋季树叶金黄，是庭院绿化和观赏树种之一。现将其育苗与造林技术介绍如下。

1育苗

1.1选种

待9月上旬种子成熟，选生长良好的健壮母树，一般在早晨有露水时采集，采回的种子放在通风、干燥地方晾晒，稍干即可揉搓、过筛除质，然后装入麻袋，进行低温储藏。

1.2育苗地的准备

（1）选地。桦树种子较小，在黏土中不易扎根，对育苗地要求严格。因而土壤必须是疏松的沙壤土。育苗地要深翻25~30cm，反复耙，使土壤细腻。

（2）土壤处理。开春后将深翻的土壤耙碎，施入基肥30t/hm2。施375kg/hm2的硫酸亚铁粉或5%的硫酸亚铁溶液进行消毒，洒在土壤中翻10~15cm，可改良土壤碱性，供给苗木所需可溶性铁质。

（3）做床。桦树种子细小，苗床不宜太大。可做成半高床，宽2.2m，长度一般为5m，中间留宽10cm、深20cm的步道，用于浇水、除草。施225kg/hm2锌伴磷粉剂，预防地下害虫。

1.3种子处理

春季将种子用35℃温水浸泡1~2d后，捞出放入木箱内，用麻袋覆盖，每天洒水2~3次，并上下翻动，早晚用塑料薄膜覆盖保温，必要时早晚生火，提高室温。当种子1／3吐白时应立即播种。

1.4播种

春季播种时间以出苗不受倒春寒的冻害为原则，尽可能做到早播种、早出苗、增强苗木的抗性，保证苗木安全度过夏季高温。播种用撒播、条播均可，但要便于田间管理，以条播为宜，播幅宽15cm，行距5cm，播种量为75~120kg/hm2。播种时种子用干沙拌匀，将种子均匀地撒在播幅上，播种后及时用锯末、羊粪、过筛土，按1∶1∶1的混合土覆盖，厚度以不见种子为易。播种后用竹帘覆盖，并立即用洒壶洒水，保持床面湿润，以利出苗。

2苗期管理

种子出土前，每天检查种子周围土壤水分状况以及种子芽尖情况，根据天气情况、土壤干湿程度，每天洒水2~3次。出苗期、生长期的管理是育苗的关键。小苗幼嫩，必须做到管理精细，每天取样挖出幼苗观察，根据根尖生长情况洒水，土壤偏湿时，根尖易腐烂；偏干时，根尖会因缺水而干枯，以土壤不积水、不干燥为原则。幼苗出土后用1∶1∶1的波尔多液每隔10d喷洒1次，防治病虫害侵染，1个月后，幼苗长出数个侧根后即可用大水浇灌。遇到连阴雨天，灌溉后2~3d撤去遮荫竹帘，降低苗床含水量。8月中下旬苗木生长缓慢，木质化加强，应少浇水。发现有病虫害危害幼茎、叶、根部情况，及时施药杀虫。

桦树为喜肥性树种，在贫瘠土壤中，幼苗生长弱、抗性差，易造成幼苗大量死亡，存活下的苗木，2年的生长量不如肥沃土壤中苗木1年生长量。因此，整地时要多施有机肥，生长期要施氮肥。追肥可在苗木生长盛期进行，一般在6~7月可追施氮肥1次。期间应加强苗木的除草工作，除草应掌握除早、除小、除了的原则。

3造林技术

（1）直播造林或植苗造林均可，直播造林以秋季为主，即秋季种子成熟时随采随播，选择杂草较少且土壤较湿润的地方撒播，一般可不必覆土。植苗造林以春季为主。（2）用块状针叶混交，能减少针叶林的病虫害发生，并增加腐殖质含量，亦可造纯林；5~7年的移植大苗可用于庭院绿化、道路绿化。

（3）造林方法。栽植前，穴面腐殖土全部回穴底，苗木居穴正中，深浅适度、根系舒展，严格按照“三埋两踩一提苗”的方法进行，培土深度应高于地面4cm左右。造林地宜选择在火烧迹地、小块皆伐迹地、林缘坡地或林中空地。造林后1～3年内每年抚育1～2次，几年后即可郁闭成林。

4病虫害防治

病害有桦树心腐病、桦树白粉病、桦树锈病等，虫害有杨柳光叶甲和舞毒蛾等，但均不严重。老树多心腐病，应以培育中、小径材为主。

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WCDMA和CDMA2000各有优势和缺点。WCDMA技术较成熟，能同广泛使用的GSM系统兼容；相比第二代通信系统能提供更加灵活的服务；而且WCDMA能灵活处理不同速率的业务。其缺点是只能共用现有GSM系统的核心网部分，无线侧设备可以共用的很少。

CDMA2000的优势是可以和窄带CDMA的基站设备很好地兼容，能够从窄带CDMA系统平滑升级，只需增加新的信道单元，升级成本较低，核心网和大部分的无线设备都可用。容量也比IS-95A增加了两倍，手机待机时间也增加了两倍。缺点是CDMA2000系统无法和GSM系统兼容。

1.WCDMA与CDMA2000的物理层技术比较

WCDMA和CDMA2000物理层技术细节上有相似也有差异，由于考虑出发点不同，造成了不同的技术特点。WCDMA技术规范充分考虑了与第二代GSM移动通信系统的互操作性和对GSM核心网的兼容性；CDMA2000的开发策略是对以IS-95标准为蓝本的窄带CDMA的平滑升级。

（1）这两个标准的物理层技术相似点可以归纳为以下几点：

①内环均采用快速功率控制。CDMA系统是干扰受限系统，因此为了提高系统容量，应尽可能的降低系统的干扰。功率控制技术可以减少一系列的干扰，这意味着同一小区内可容纳更多的用户数，即小区的容量增加。因此CDMA系统中引入功率控制技术是非常必要的。

②系统都支持开环发射分集，信道编码采用卷积码和Turbo码。

③系统均采用软切换技术。所谓软切换是指移动台需要切换时，先与新的基站连通再与原基站切断联系，而不是先切断与原基站的联系再与新的基站连通。软切换只能在同一频率的信道间进行，因此模拟系统、TDMA系统不具有这种功能。软切换可以有效地提高切换的可靠性，大大减少切换造成的掉话。

④WCDMA工作频段：1900～2025MHz频段分配给FDD上行链路使用，2110～2170MHz频段分配给FDD下行链路使用，2110～2170MHz频段分配给TDD双工方式使用。其中WCDMA和CDMA2000利用1900～2025MHz频段(上行)，2110～2170MHz(下行)。

（2）两个标准的物理层技术差异可以归纳为以下几点：

①扩频码片速率和射频带宽。WCDMA根据ITU关于5MHz信道基本带宽的划分规则，将基本码片速率定为3.84Mcps。WCDMA使用带宽和码片速率是CDMA2000-1X的3倍以上，能提供更大的多路径分集、更高的中继增益和更小的信号开销。CDMA2000分两个方案，即CDMA2000-1X和CDMA2000-3X两个阶段。CDMA2000系统可支持话音、分组数据等业务，并且可实现QoS的协商。室内最高数据速率达2Mbit/s，步行环境384kb/s，车载环境144kb/s。CDMA2000在前向和反向CDMA信道在单载波上采用码片速率1.2288Mcps的直接序列扩频，射频带宽为1.25MHz。

②支持不同的核心网标准。WCDMA要求实现与GSM网络的兼容，所以它把GSMMAP协议作为上层核心网络议；CDMA2000要求兼容窄带CDMA，因此它把ANSI-41作为自己的核心网络协议。

③WCDMA进行功率控制的速度是CDMA2000的2倍，能保证更好的信号质量，并支持多用户。

④为了使支持基于GSM的GPRS业务而部署的所有业务也支持WCDMA业务，为了完善新的数据话音网络，CDMA2000-1x需要添加额外的网元或进行功能升级。

2.WCDMA与CDMA2000网络接口的比较

3G标准的基本目标是能在车载、步行和静止各种不同环境下为多个用户分别提供最高为144kbit/s、384kbit/s和2048kbit/s的无线接入数据速率。为多个用户提供可变的无线接入数率是3G标准的核心要求。CDMA2000可分别用于900MHZ和2GHZ两个频段CDMA2000的码片速率与IS-95相同，两系统可以兼容。WCDMA的码片速率为3.84Mcps，显然WCDMA系统中低速率用户或语音用户的移动台成本会大幅上升，在CDMA2000系统中则不会如此。

WCDMA的接口标准规范、制定严谨、组织严密，而CDMA2000的接口标准严谨性有待加强。IS-95厂家设备难以互通，给运营商设备选型带来了较大问题；3G许诺的高速无线数据服务必须可以和话音一样实现无缝的漫游，这是至关重要的。多媒体信息要漫游、视频通话也要漫游，没有这些基本要素，3G就不能称其为3G。漫游涉及到的不仅仅是技术问题，更重要的是商业利益。在这方面WCDMA显然更胜一筹，它支持全球漫游，全球移动用户均有唯一标识，而CDMA2000尚不能很好做到这一点。

3.WCDMA和CDMA2000网络演进的比较

（1）WCDMA的网络演进技术

现有的GSM系统利用单一时隙可提供9.6kbit/s的数据服务。如果复用多个时隙就能升级为HSCSD（高速电路交换数据）方式；此后出现了GPRS（通用分组无线业务），首次在核心网中引入了分组交换的方式，可提供144kbit/s的数据速率。接着继续升级采用8PSK调制，这样传输速率可以上升至384kbit/s这就是EDGE；WCDMA的数据传输速率将高达2M/s。

（2）CDMA2000网络演进技术

主要的CDMA2000运营商将来自现在的窄带CDMA运营商。窄带CDMA向CDMA2000过渡的方式为IS-95AIS95BIS-95CIMT2000。IS-95A的数据传输速率为14.4kbit/s，为了提供更高的速率，1999年部分厂商开始采用IS-95B标准，理论上支持115.2kbit/s的速率。IS-95C进一步使容量加倍，最后升级为CDMA2000。

窄带CDMA系统向CDMA2000系统的演进分为空中接口、网络接口及核心网络演进等方面。

①目前窄带CDMA系统的空中接口是基于IS295A，其支持的数据速率为14.4kbit/s，由IS295A升级到IS295B，可支持64kbit/s。

②窄带CDMA网络接口的演进主要指窄带CDMA系统A接口的升级和演进。对于窄带CDMA系统，以前其A接口不是规范接口(即不是开放接口)，窄带CDMA和GSM的A接口的规范相比较，GSM是先有A接口标准，然后厂家依据标准开发；窄带CDMA是厂家各自开发，然后广泛宣传，最后凭借自身影响修改标准。

③窄带CDMA的核心网在美国经过多年发展后，从IS241A到IS241B到IS241C，我国CDMA试验网和红皮书以IS241C为基础，IS241D规范在1999年底，目前IS241E规范还未正式。

二、WCDMA和CDMA2000在我国的前景

对3G标准的选择不仅要看其技术原理及成熟程度，还要结合本国国情、市场运作状况等因素进行考虑。按目前的进展来看，两种标准最后不能融合成一种，但可以共存。

在我国，GSMMAP网络已形成巨大的规模，欧洲标准的WCDMA在网络上充分考虑到与第二代的GSM的兼容性，在技术上也考虑了与GSM的双模切换兼容，向WCDMA体制的第三代系统演进，从一开始就解决了全网覆盖的问题。而且CDMA2000采用GPS系统，对GPS依赖较大；在小区站点同步方面，CDMA2000基站通过GPS实现同步，将造成室内和城市小区部署的困难，而WCDMA设计可以使用异步基站，运营者独立性强；对于电信设备制造行业，我国在GSM蜂窝移动通信方面发展成熟，而窄带CDMA系统尚未形成规模和产业。

WCDMA采用全新的CDMA多址技术，并且使用新的频段及话音编码技术等。因此GSM网络虽然可采用一些临时的替代方案提供中等速率的数据服务，却不能提供一种相对平滑的路径以过渡到WCDMA。而CDMA2000的设计是以IS-95系统的丰富经验为依据的，因此窄带CDMA向CDMA2000的演进无论从无线还是网络部分都更为平滑。在基站方面只需更新信道板，并将系统软件升级，即可将IS-95基站升级为CDMA2000基站。

由此可见,WCDMA和CDMA2000还将长时间在我国共存，鹿死谁手？尚未分晓。

参考文献：

［1］TeroOjanpera，RamjeePrasad.朱旭红译.宽带CDMA：第三代移动通信技术.北京：人民邮电出版社.

［2］杨大成.CDMA2000-1X移动通信系统.北京：机械工业出版社,2003.

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1．2病虫害防治秋季气温高，湿度较低，病害相对较轻，因此秋季茄子再生栽培，应以虫害防治为主，主要虫害有红蜘蛛、蚜虫、白粉虱、蓟马等。可用50％的吡虫啉可湿性粉剂2000～3000倍液、20％啶虫脒可湿性粉剂1000倍液、15％的哒螨灵800～1000倍液配合1．8％的阿维菌素乳油800～1000倍进行防治。

1．3适时采收再生茄子长势快，一般平茬后40d左右就可采收第1批再生茄子，隔天采收1次，可一直收获到11月份拉秧。

2荠菜栽培

2．1荠菜播种及出苗茄子中耕后在7月下旬至9月期间在茄子行间可随时播种荠菜。秋播荠菜一般选用板叶荠菜，撒播方式播种，每667m2播种量1．0～1．5kg。由于荠菜种子较小可拌细沙，以力求播种均匀。播后浅覆细土，覆土厚度0．5～1．0cm，并轻拍土面，使土壤与种子充分接触，以利种子吸水，提早出苗。播种后为保持土壤湿度，降低土壤温度，可在畦面覆盖芦苇、麦秸等。出苗前可用喷壶每天喷水，以保持土壤湿润，促进出苗，一般4～7d可出苗，苗全后及时撤去覆盖物。

2．2水肥管理由于荠菜需水肥量相对较少，一般情况下茄子栽培过程中的浇水施肥，基本可同时满足其需求，不需另外追加肥水。但前期由于气温较高，如荠菜出苗后干旱，可用喷壶每天进行喷水，以促进生长。

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榉树（ZelkovaschneiderianaH-M），又名大叶榉、血榉、红榉、黄榉、岩郎木等，榆科榉属树种，是国家重点保护的濒危植物之一，属二级保护植物，有较高的观赏价值，是重要的风景园林观赏树种。目前，榉树苗木已被广泛用于园林配置、城市街道绿化美化及生物多样性方面。

榉树为深根性树种，是一种落叶乔木，主、侧根系都很发达，性喜光，喜温暖气候和肥沃湿润条件，在酸性土、中性土、石灰岩山地及轻盐碱土上均能生长。榉树初期生长较缓慢，八年生以后加快，可持续生长70～80年，成年树高达30m，胸径1m以上。榉树在我国分布很广泛，主要产于淮河流域和长江流域及其以南地区，多生于海拔800m以下山坡。

1育苗方法

1.1扦插育苗

榉树资源稀少，生产上可采用硬枝扦插和绿枝扦插育苗。硬枝扦插的枝条取自一至二年生健壮枝条，插穗长度10～15cm，粗度0.5～1.0cm，每个插条上至少含有2个以上健壮饱满腋芽，时间以春季扦插为好，其平均成活率可达16.7%；扦插时使用植物生长调节剂，可使插条生根率达到80%以上，当年苗高可达50～180cm。绿枝扦插宜在6月上旬进行，自母树年龄较小当年生半木质化的粗壮嫩枝上剪取带2～3片叶的插穗，迅速用植物生长调节剂处理。做到随采随喷水，随用生根剂处理，随扦插。扦插苗床基质以蛭石、河沙等为宜。扦插密度以插穗间枝叶互不接触为宜。插后喷水1次，上罩塑料膜弓形小棚，再搭起1.2～1.5m高的框架，用草帘或遮荫网在上方和两侧遮荫，保持20%～30%的透光率。扦插前期要做好叶面喷雾保湿、消毒防病、通风换气和喷水降温等工作；中期要以揭除薄膜和逐步移去遮荫物炼苗为主；后期做好消除杂草、施肥等。

1.2嫁接育苗

选择一至二年生、地径1.5～2.0cm的白榆实生苗作砧木，以一至二年生的榉树枝条作接穗，在树液流动季节进行嫁接，嫁接可分枝接和芽接2种。枝接一般在4月进行，操作时可用劈接和皮下接方法。适时嫁接、避开连阴雨天气、接穗削面光滑平整、接穗与砧木的形成层对准、绑扎适度是影响嫁接成活的关键因素。芽接宜在7月下旬至8月中旬进行，方块形芽接比“J”字形芽接为优。为提高嫁接成活率，嫁接时要将塑料薄膜带轻轻插入接穗芽与皮部内皮层与砧木密接，在操作技术保证的情况下，榉树嫁接成活率一般在80%以上，枝接当年生长量80～160cm，地径0.8～1.5cm左右。

1.3播种育苗

榉树种子采集时间常在10月中下旬，采种期3周左右，选择树龄30年以上，结实多且籽粒饱满的健壮母树，在果实由青色转为黄褐色时进行采种，采得的种子去杂阴干，装入布袋或麻袋贮存备用。播种分秋播、冬播和春播。秋播需随采随播，发芽在翌年3月上中旬，种子发芽率和出苗率较高，苗木生长期长。春播宜在雨水至惊蛰时进行，最迟不得迟于3月下旬，播种量150～200kg/hm2。当年种子翌年播种，发芽率高。为了提高种子发芽率和出苗率，可对种子进行选种、浸种、消毒、催芽、低温存积处理等。播种后，25～30d种子发芽出土，应防止鸟害。出苗后要及时揭草炼苗。幼苗期应及时间苗、松土除草、灌溉追肥。此外，榉树苗期普遍有分叉现象，应在苗期进行修剪，蓄好1个主干，以利干形通直。

1.4组织培养

利用大叶榉树未成熟种子的胚依次在诱导愈伤组织培养基、愈伤组织继代培养基、芽分化培养基、壮苗培养基及生根培养基上培养，可生产出3～5条不定根幼苗，生根率达30%，生根幼苗移植到温室花盆中成活率在50%以上。日本在榉树组织培养方面成功较早，有许多可供参考的经验。

2造林与管理

造林地宜选择在坡度30°以下，低山丘陵区土壤肥沃、保水较好的群山中下部、谷地、溪边。采用全垦方式整地，整地规格为50cm×50cm×40cm。3月上旬左右，选取无风阴天或小雨天气，用榉树一年生实生苗栽植，栽植前用10%～15%的过磷酸钙泥浆沾根，以提高成活率。栽植时要根舒不弯曲，严禁大土块和石块压在根部，回填土要实，深度为苗期地面与地相接触处印痕之上3～6cm为好。栽植密度可为1.6m×1.6m或2.0m×1.6m。另外，可根据不同的立地条件栽植不同的树种。如山顶、山脊可栽马尾松、栎类，山脚、山腰栽榉树，形成马尾松、榉树、栎类块状混交林。在立地条件好的山坡中下部可栽植榉树与山杉木行状混交林。苗木栽植后，前3年，每年抚育2次，分别于6月和10月进行。随时注意培蔸、抚正，剪去干上丛生小枝，将分叉株去除弱的分支，每年

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水稻强化栽培技术是一种高产高效新技术，其核心内容是通过采取选择分蘖力强的大穗型品种、小苗移栽、单本（或少本）稀植、浅湿灌溉、增施有机肥和磷钾肥、注重平衡施肥和穗肥的施用等技术措施，以强化稻株个体生长环境，充分挖掘（或强化）稻株个体生产潜能。

1单季稻强化栽培的好处

1.1高产稳产高效益

单季稻实行强化栽培能显著增产增效。如2006年我市示范单季稻强化栽培技术约33.3hm2，普遍获得了高产丰收。根据对寿昌镇刘家村、航头镇南八村、珏塘村5位农户的实割实收产量调查，16块强化栽培的单季稻田共2.06hm2，平均产量达到9928.5kg/hm2，比采用传统种植技术的同一单季稻品种产量增加1125kg/hm2左右，增产幅度达到13%左右，直接增收1800元/hm2左右。其中寿昌镇刘家村施国才和航头镇珏塘村孙根土、孙水林等农户的产量都超过10.5t/hm2，起到了良好的示范带头作用。2007年全市示范种植强化栽培单季稻346hm2，普遍获得高产丰收，根据14个镇乡119户15.47hm2强化栽培的单季稻实产调查，平均产量9168kg/hm2，比相邻农户常规栽培的单季稻增产1471.5kg/hm2，增产19.1%，平均增收2648.7元/hm2。

1.2省种子

单季稻实行强化栽培，采用旱育秧短秧龄（10～15d）移栽，一般大田只需要种子6kg/hm2，比传统半旱育秧长秧龄（30d左右）移栽，大田要节约杂交种子3.75kg/hm2左右，可以节省种子款105～120元/hm2。采用半旱育秧短秧龄（12～18d）移栽，一般大田只需种子7.5kg/hm2，比传统半旱育秧长秧龄（30d左右）大田可节省种子2.25kg/hm2，可以节省种子款75元/hm2左右。

1.3省秧田，节省育秧和拔秧用工

单季稻实行强化栽培，采用旱育秧短秧龄（10～15d）移栽，大田只需要秧田90m2/hm2，与传统半旱育秧长秧龄（30d左右）移栽相比，要节省秧田900m2/hm2以上。因此，大大节省了秧田整理、播种、施肥、灌水和拔秧的用工，一般大田可以节省育秧和拔秧用工15d/hm2左右，节省费用600元/hm2以上。采用水育秧短秧龄（12～18d）移栽，大田只需要秧田300～450m2/hm2，与长秧龄（30d左右）半旱育秧相比，要节省秧田450～600m2/hm2。因此，大田可以节省秧田整理、播种、施肥、灌水和拔秧的用工7.5d/hm2左右，节省费用300元/hm2以上。

1.4节省插秧用工

单季稻实行强化栽培，采用旱育秧短秧龄移栽的，每个劳动日可以插秧933.8m2左右，采用半旱育短秧龄移栽的，每个劳动日也可以插秧733.7m2左右，与传统半旱育秧长秧龄移栽相比（每个劳动日插秧466.9m2左右），可以大大提高劳动工效，节省一半左右的插秧时间。大田至少可以节省插秧用工费用375元/hm2以上。同时，还可以减轻挑秧和插秧的劳动强度。

1.5节约稻田灌溉用水

单季稻实行强化栽培，大田水分管理以湿润灌溉为主，改变了长时间深水层灌溉的老习惯，可以大大节约稻田用水，能够节约提水用电和放水用工，达到节省灌水成本的目的。特别是在缺水地区，能大大缓解农田争水的矛盾和纠纷。

1.6方便防病治虫田间喷药

由于强化栽培要求做到挖沟起畦栽培，对防病治虫田间喷药等操作十分方便和有利。

2单季稻强化栽培技术

2.1品种选择

选择穗大粒多、分蘖能力强、后期转色好、增产潜力大、米质较优的品种，如中浙优1号、两优培九等，积极试验示范川香8号、内香优18等新品种。

2.2育秧

2.2.1旱育秧技术。①选好旱育秧田，施足基肥。选择菜园地、油菜田或临近单季稻大田的其他肥沃疏松的边角地，大田需要秧田90m2/hm2，苗床施三元复合肥（含量45%）750g/m2加过磷酸钙750g/m2作基肥，施肥后细耙苗床畦面。②药剂浸种，适时播种。大田用种子6kg/hm2，采用2000倍的“402”药剂浸种，浸后洗净，并催芽露白后，在5月20日前均匀地播种在苗床上，用木板压实，浇水后，覆盖焦泥灰或细土。天气下雨和阴天还可以覆盖一层小拱棚地膜，以起到防雀防鼠的作用。天晴时，小拱棚两头要及时通风，防止高温伤苗，晚上要盖好通风口，既保暖又防鼠。齐苗后，要及时揭膜通风炼苗，先日揭夜盖，拔秧前3d完全揭膜。③适时起苗，适龄移栽。强化栽培旱育秧适宜秧龄为10～12d，最长不超过15d。由于播种较密，秧龄太长（超过15d）将严重影响秧苗质量，最终影响单季稻产量的提高和增产潜力的发挥。

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海盐县地处杭嘉湖平原，是一个粮、棉、油、畜等多种经营全面发展的农业县。全县单季晚稻面积约1.69万公顷，水稻直播轻型栽培技术在各级政府高度重视和大力支持下，经过了县乡（镇）农技推广部门的共同努力，已超额完成了农业丰收项目计划指标，全县直播稻面积约1.47万公顷，其中免耕直播8020hm2，翻耕直播6673.33hm2，项目达标面积7686.67hm2，比计划指标超了1020hm2，平均省工节本增产增效1566.9元/hm2，推广直播轻型栽培技术，全县共增收1204.42万元，超额完成了项目计划指标。

1单季晚稻直播技术实施概况

1.1气象与苗情

直播单晚生育期（6月1日至10月底）积温3937.2℃，比2006年多107℃，日照时数1006.3h，比2006年多46.8h，雨量468.5mm，比2006年多46.8mm，雨日47d，比2006年多1d，直播单晚大部分田块出苗较好，苗数充足，虽受台风影响，单晚仍获得丰收。据县苗情点10块田调查，最高苗峰出现在7月20日左右，最高苗峰834万丛/hm2，比2006年高217.5万丛/hm2，叶龄8.9张与2006年相同。

1.2起发快，分蘖早，根系活力强

据苗情点定点调查，单晚免耕直播在播后20d，平均叶龄为5.38张，苗数505.5万丛/hm2，平均单株带蘖2.1个，比翻耕直播稻多1.8个；播后30d，平均叶龄为8.05张，苗数873万丛/hm2，单株带蘖4.6个，比翻耕直播多0.9个。成熟期根系考查，免耕直播白根数比翻耕直播高1.8个百分点，黑根系数比例则比翻耕直播少3.4个百分点，平均单株根数比翻耕直播多13.8根，增幅27.4%，平均根系增加0.6cm，增幅3.2%，平均单株根系鲜重增0.21g，增幅22.2%。

1.3经济性状表现好

据全县8个乡镇、40块田6.14hm2调查汇总，平均播种量51kg/hm2，播期6月14~20日，始穗期9月3~9日，齐穗期9月6~11日，最高苗峰784.5万丛/hm2，有效穗数396万穗/hm2，株高89.24cm，穗总粒数113.5粒，穗实粒数99.7粒，结实率87.8%，千粒重23.6g，理论产量9318kg/hm2，实际产量8520kg/hm2。根据16块田调查汇总情况看，直播稻平均产量8505kg/hm2，比移栽稻的8310kg/hm2增加195kg/hm2，增幅2.4%。直播稻增产主要靠增穗增产，同时可以适当控制最高苗，提高成穗率。

1.4涌现了一批中心示范方和高产攻关田

我县根据省级项目积极开展优质高产示范竞赛活动，各乡镇建立了一批直播高产示范方和高产攻关田。中心示范方中如西塘桥青莲寺村7.07hm2直播秀水110，平均产量8430kg/hm2，比常规水稻高705kg/hm2，增幅9.1%；县级百亩示范方武原镇金星村泾塘10组7.012hm2直播稻，平均产量8265kg/hm2，比常规水稻高540kg/hm2，增幅7.0%。高产攻关田如秦山镇长川坝村万建生1133.34m2免耕直播秀水03，产量8580kg/hm2；百步镇万胜村严德方1200m2秀水110直播稻，平均产量8400kg/hm2；沈荡镇沈荡村二组陈福忠1400m2直播秀水09，产量8730kg/hm2。

1.5省工节本增产增效

水稻直播栽培法，达到了省工、省种、省秧田、省成本和增产的目的。据8个乡镇调查汇总，全县7686.67hm2直播晚稻达到了项目计划指标，省工节本增产增效1566.9元/hm2，推广直播轻型栽培技术共增产增收1204.42万元，超额完成了项目计划指标。

2直播晚稻技术试验研究结果

为了进一步研究直播技术，更好地指导生产，我县进行了单晚直播粳稻不同播种量、不同播期试验。不同播量试验，品种为秀水110，4个处理分别为播种量15kg/hm2、45kg/hm2、75kg/hm2、105kg/hm2，随机排列，重复3次，共12个小区。试验结果表明，播量为45kg/hm2产量最高，播量15kg/hm2由于苗数不足，产量为最低，播量75kg/hm2、105kg/hm2由于苗数过足，但成穗率不高而导致产量不高，所以播量45kg/hm2群体比较适中，成穗率、产量都较理想。不同播期试验：品种为秀水03，3个处理播期分别为5月30日、6月10日、6月20日，3次重复，共9个小区。试验结果表明，早播比迟播的在经济性状上表现千粒重高、产量高。前茬为冬闲田的田块可以适当早播，其他茬口的田块能早播的尽早播种。我县的直播稻播种期定在6月10日左右为宜。

3直播稻高产配套栽培技术

3.1选用矮秆抗倒的优质高产良种

我县推广应用的适合直播单晚品种有秀水03、秀水09、嘉花1号、秀水110等。

3.2精细整地

大田整地做到“四要”：一要早翻耕，使杂草、桩头等腐

烂；二要田面平整，不留水渍害；三要畦面软硬适中；四要沟渠配套。

3.3适期播种，精量匀播

常规粳稻用种量在45~60kg/hm2，杂交粳稻18.75~22.50kg/hm2。播种期因品种而异，一般以5月底至6月上旬为宜，最迟不超过6月20日。播前种子要经晒种、浸种、催芽，后期做好疏密补稀的工作。

3.4合理运筹肥料，促进平衡生长

采用氮、磷、钾配套，用腐熟有机肥7.50~11.25t/hm2结合基肥施入。分蘖肥用尿素112.5kg/hm2，钾肥112.5~150.0kg/hm2，长粗肥用尿素112.5kg/hm2，穗肥在8月10日前后，施尿素45~90kg/hm2，后期苗色明显落黄的田块，可酌情补施尿素30~45kg/hm2。

3.5水浆管理