电子设备论文范文

时间:2022-08-01 18:16:17

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电子设备论文

篇1

大功率,高电压的电力电子设备都是有数量较多的单个性能参数一致的功率器件经过并联、串联、串联后再并联等方式组合而成。

1.1多个功率器件并联时自愈工作原理多个功率器件并联时如图1所示,并联于功率器件匀流电阻两端的光电隔离开关输出信号会同步于功率器件的开断工作状态,该信号与同步触发脉冲器的输出信号进行比较。这两个信号如果同步则比较器不输出,如果不同步则比较器输出控制命令,令与该功率器件串联的断路开关断开,自动断开故障的功率器件,同时通过显示控制总线向显示控制屏发出显示该功率器件故障的指示信息。

1.2多个功率器件串联时自愈工作原理多个功率器件串联时如图2所示,并联于功率器件的光电隔离开关的输出信号会同步于功率器件的开断工作状态,该信号与同步触发脉冲器的输出信号进行比较。这两个信号如果同步,则比较器不输出,如果不同步则输出控制命令,令与该功率器件并联的旁路开关闭合,自动短路掉故障的功率器件,同时通过显示控制总线向显示控制屏发出显示该功率器件故障的指示信息。

2应用实例

以串联谐振耐压试验设备的变频电源为例进行试验测试,变频电源的输出采用大功率高耐压多只IGBT器件并联后组成桥式输出电路。变频电源的技术参数为:额定输出功率:100kW;额定输入电压:三相380V±12%50Hz;输出电压:0~350V连续可调,输出电压不稳定度≤1%;额定输出电流:286A。图3为桥式输出四分之一桥臂的部分电路,QA11和QA21为输出功率器件IGBT;KA11和KA21分别为QA11和QA21功率器件的自动剔除的高速继电器;RA11和RA21为功率器件的匀流电阻;AI1为功率器件的驱动输入信号端;AO11和AO21为对应功率器件异常后输出指示信号端,高电平为异常;UA11和UA21为比较器;OUTA为桥臂输出端。电路工作原理为,比较器UA11和UA21始终比较输入端1和2的信号,若这两个电平信号始终同步则,它的输出端3处于低电平,继电器KA11和KA21不动作,功率器件QA11和QA21全部正常工作;若某个功率器件击穿或开路,该路对应的比较器1和2路的输入端将会不同步,此时比较器输出端3将输出高电平,驱动该路继电器闭合,切断了该功率器件电源回路,同时使继电器自保持,且输出一个高电平报警信号,其余的功率器件由于电路设计时都具有比较大的冗余,能够继续工作,能够确保试验过程继续进行下去,直到试验工作全面完成。实现了预知故障,提高了电力电子设备工作可靠性。对于串联的功率器件可以采用类似的方法进行单个功率器件损坏后自动剔除。

篇2

近年来,电子信息设备和计算机系统已深入各行各业,由于这类设备的工作电压和耐冲击电压水平低,极易受到雷电电磁脉冲的危害,从而使雷电灾害由电力和建筑物这两个传统领域扩展到几乎所有行业,特别是通讯、信息技术数据中心,计算机中心以及微电子生产行业等由于雷电造成的危害尤为重要。另一方面,因为雷击是机率事件,这种影响尚未引起人们的注意,很多人认为只要按照国家的建筑物防雷设计规范做好避雷针(带)、引下线和接地装置等建筑物内外的防雷工作就“万事大吉”了。但实际上,当雷击现象发生时,建筑物的外部防雷装置确实有效地抵御了雷击对建筑物的破坏,同时均匀的避雷引下线与建筑物接地的均压环也起到法拉第网笼的作用,保证建筑物内的人员不致因跨步电压升高而导致触电事故。

但这时当雷电击中建筑物防雷装置或击中附近其他建筑物的避雷针(带)并由引下线导人大地时,瞬间内在引下线自上而下的产生一个很强的变化磁场。处在这个电磁场作用下的导体,便会感应产生电压,其数值也可达数十千伏,处在这个磁场作用范围的电气、信号、电源及它们的传输线路都因相对地切割了这个变化的磁场磁力线而产生出感应高压,从而将用电设备击坏。如图1所示,如果导体的形状是开口环形感应电压,便会把几厘米长的空气间隙a、b击穿发生火花放电。如果导体是一个闭合回路,感应电压会造成一个电流通过,假如回路上有接触不良的接点,这些地方就会局部发热。再有,由于雷电冲击波的能量集中在工频附近几十赫兹到几百赫兹的低端,雷电冲击波能量就容易与工频回路发生耦合、谐振,于是雷电冲击波从电源线路进入电子设备的机率要比从信号线中进入的机率要高很多,据统计,约有8%的雷击损坏电子设备的事故是由电源引入的,因此应特别加强系统中设备电源的防雷措施。

l雷击电子设备的途径及损坏机理

雷击过电压损坏设备可分为两种情况,一种是受雷电直击,另一种受感应雷影响所致。据统计电子设备受雷电直击而损坏的机率很小,而绝大多数损坏为感应雷造成,雷电行波通过传输信息的电路线传至电子设备使其某些电子元件受损。

还有一种情况值得重视的是电子设备附近的大地或其他设备的接地体,因受直击雷引起的电位升高,会使电子设备造成反击,使之对地绝缘击穿。根据传统经验电子设备的地线与电源设备的地线分开设置是减少这种雷电侵入途径的有效措施之一。所以凡联结有输人或输出线路的电子设备应考虑以上三条侵入途径。不论那种途径侵入的雷击过电压加在电子设备上冲击引起两种过电压,一种是:使平衡电路某点出现超过允许的对地过电压,称为纵向过电压,地电位上升引起的反击也属于从地系统侵入的纵向过电压;另一种是平衡电路线间或不平衡电路线对地出现的过电压称为横向过电压。使用对称传输线的设备,横向过电压是因线路两线间存在不同的纵向过电压;或因纵向防护元件放电性能的分散性(如动作时间有快慢的差别)是造成横向过电压的原因,如果在平衡线路上的两个纵向防护元件,其中一路故障或失效这就造成了横向过电压的极限情况。对不平衡电路如对连接同轴电缆的电子设备其纵向过电压即横向过电压。雷电冲击过电压可导致绝缘击穿,也可产生过电流。进行纵向雷击试验的目的,在于检验设备在纵向过电压下元器件对地的绝缘。横向雷击试验则是检验两线间出现冲击过电压时设备耐受冲击的能力。

在电子设备中,易受雷击过电压损坏的元部件,大多数是靠近设备的入口端,如纵向过电压会击穿线路和设备间起匹配作用的变压器匝间、层间、或线对地绝缘等。横向过电压可随信息同时传至设备内部,损坏设备内的阻容元件及固体元件。设备中元器件受损的程度,取决于元器件绝缘水平,即耐受冲击的强度,对具有白复能力的绝缘,击穿只是暂时的,一旦过压消失,即可恢复。有些非自复性的绝缘介质,冲击时只有小电流流过,一次冲击不会立即中断设备,但经过多次冲击,随着多次冲击的累积可能会使元件逐渐受损最终导致毁坏,这就是为什么在试验时要试验冲击次数,极性和间隔的原因所在。

电子元件受雷击损坏的情况,概括起来不外下列三种:(1)受过电压损坏的,如电容器、变压器及电子元件的反向耐压。(2)受过电压冲击能量损坏的,如二极管PN结正向损坏,冲击危险程度在于流过元器件的过电流大小和持续时间,即能量大小。(3)易受冲击功率损坏的,对元件的危害决定于冲击电压峰值和由此而产生的过电流。

2雷电波形

有关雷电冲击波的描述是用波形参数说明,它有峰值波前时间和下降半峰值时间。如图2所示。观测的数据和波形均具有统计特.硅,服从某种分布规律,从而统计出雷电流幅值,波头、波尾、陡度、能量等概率分布。多年来,国内外在对线路结构上或进人电子设备的雷电冲击波形进行了很多观测工作,获得了大量的观测资料。

一些国家通过现场观测发表了很多测试结果。因观测的地理环境和条件的不同。即使在同样条件下,观测得到的数据也不尽相同。早先,有些国家观测得到的几百个波形中,对主放电波形的叙述,当不区另别第一次放电或随后各次闪电时,一般认为雷电流在1—4微秒上升到幅值,然后在40一50微秒内下降到幅值的一半。这就是所谓传统的雷电流波形。正极性闪电的电流波形一般较负极性闪电的波形平坦一些,持续时间较长,上升到幅值的时间约数十微秒,下降到半值时间约为数百微秒。

图2雷击参数定义

在对雷电的研究中,需要在千千万万的实波形中找出典型波形并转化为用数学式表示曲线。比较流行的代表曲线有两种:

1.波头部分用两个指数曲线之差表示,其公式为:

用这公式表示的波形如图3a,当i=0时,电流上升速度di/dt最大;而当电流逐渐增大时,di/dt逐渐减小;到了i=Im时,di/dt变为零。

2.波头部分用余弦曲线表示其公式为:

用这公式表示的波形如图3b,当i=0时,di/dt=0;随着电流上升,di/dt也上升;当I=Im/2时,di/dt到达最大值;然后di/dt减小;当i=Im时,di/dt降为零。

一般习惯于用两个指数曲线之差的形式来表示雷电流波形,并且认为这种表示方式和大多数实际测得的波形比较相似。但是经过近年的观测得到大多数的第一次主放电电流波形在其上升到幅值之前时比较缓慢,然后再转入陡的部分,其波头接近于用余弦来表示的波形。用余弦曲线表示时,因为雷电流最大陡度出现在Im/2处,以此进行雷击的电位计算时可以得到较高的结果而偏于可靠。但是,余弦曲线计算较为繁琐,因而往往简化为直线,也就是用斜角波来表示,通过最大陡度和平均陡度的转化,可以使采用斜角波的计算结果和采用余弦波的计算结果基本一致。

对于雷电流波形的各个量的标志方法各国也不是统一的。典型的雷电流波形是以IEC规定的如图4所示,在幅值Im以前叫波头部分,幅值Im以后叫波尾部分。早先规定由O点到幅值的时间叫波头长度,由0点到波尾半幅值的时间叫全部波长。但是在实际测量中发现,0点及幅值这两点的时间很难精确测定的。为了避免测量中出现的含混,IEC建议测量脉冲电流的实测值按下列方法定义:实效波头时间T1:脉冲电流的实效波头时间,是指脉冲电流在10%幅值及90~/6幅值两个瞬间之间的间隔时间再乘以1.25倍(两个瞬间点A和B见图4(a)。实效半幅值时间T2:脉冲电流的实效半幅值时间T2,是指实效原点O-与波形下降到半幅值的瞬间之间的间隔时间。

测量脉冲电压的方法与脉冲电流相似,所不同的只是选择参考点A的方法不一样。脉冲电压的实效波头时间T1是指从脉冲电压在30~/6幅值及90~/6幅值两瞬间之间的间隔时间乘以1.67倍。实效原点O。是指A点之前0.3T1的一点,如图4b。一般以分式符号表示波头时间及半值时间(又称波尾),例如1.5/40便是指波头时间为1.5微秒,半值时间为40微秒的波形。通常将雷电流由零增长到幅值这一部分称为波头,只有几个微秒;电流值下降的部分称为波尾,长达数十微秒到几百微秒。

在1995年的EIC61312—1中的典型10/350us和8720us雷电流波形。10/35us波是直接雷的电流波形,其能量远大于8/20us波,用这种波型来确定接闪器的大小尺寸。8/20us波是感应雷和传导雷电的电流波形,用这种波形来检验防雷器件耐雷击能力的一种通用标准。它代表雷电电流经过分流、衰减的电流波,又是线路静电感应电压波和防雷导体通过雷电流时对其附近电气导线的电磁感应过电压波。例如防雷的引下线,建筑物LPZI区及其内部计算雷电流的波。

由于雷电参数值随地理环境不同,传输线的结构不同,关于国际标准所规定的波形只是推荐,容许各国根据本国实际情况加以引用或制订。由于我国尚无这方面的资料,故直接引用了IEC和ITU的推荐波形。对于架空明线的波形采用了我国邮电部门的观测资料制订。

建筑物防雷设计规范(GB50057-94)规定了防雷保护区的概念,便于设计者利用系统的层次分析各防雷保护区界面处的金属导体等电位联接和装设过电压保护器去分流和限压的措施,使侵入波干扰信号不断减少。这同我们过去的多道防雷的保护是一致的,在不同防雷保护区的界面上有不同层次的结合,就是要求注意各个介面处内外系统的相互关系与相互作用,即要根据流过电压保护器的电流波形,残压特性和大小,过电压保护器的伏秒特性以及雷电流通过后产生的工频续流大小等选择过电压保护器才是合理的。

3防雷元件性能

防雷元件的冲击特性与试验方法的关系甚为密切,它是规定防雷元件技术参数标准的基础之一。但试验方法又与雷电波形有联系。因为电子设备大都在一定的频率范围内工作,不同频率范围的通路,对冲击波有着不同的响应。因此,对雷电冲击波形进行频谱分析,无论对电子设备的防雷设计和试验都是有意义的。

防雷元件种类繁多,概括起来可分间隙式的(如放电间隙、阀型避雷器、放电管等)和非间隙式的(如压繁电阻、齐纳二极管),再推广一下像扼流线圈、电阻、电容……也可归人这一类,从动作时间来说有快慢的区别。

使用在电涌保护器(sPD)中几类元件的有关参数,虽然有厂家产品说明,但在选用时有的参数还须注意了解。例如放电管的伏秒特性:表征放电管点火电压与时间的关系。它反映了各种不同上升速度的电压波作用在放电管上其点火电压和延迟时间的关系。由伏秒特性曲线可以判断放电管的防护能力。放电管属间隙式,有空气间隙、气体放电管等。再如氧化锌压敏电阻,是一种对电压敏感的元件,是一种陶瓷非线性电阻器,有氧化锌、氧化硅。这种元件,其电压非线性系数高、容量大、残压低、漏电流小、无续流、伏安特性对称、电压范围宽、响应速度快、电压温度系数小等特点。并且有结构简单,成本低等优点,是目前广泛应用的过电压保护器件。适用于交流电压浪涌吸收和各种线圈,接点间过电压的吸收和灭弧,在电子器件过电压保护中广为应用。在选用时关注的是通流容量;按规定的电流波形,在一定的试验条件下施加的冲击电流值,压敏电阻所能承受冲击电流的能力。我国对压敏电阻的考核一般以8/20us波形,在室温条件下,间隔5分钟单方向冲击两次后,5分钟内测试压敏电阻的起始动作电压Vlma值的变化率在百分之十以内时,冲击电流的最大幅值定为通流容量。压敏电阻的残压(LJres):压敏电阻通过电流时,在其两端的电压降谓之残压。通常均以规定的波形,通过不同的电流幅值进行残压测试。目前采用8/20us电流波形,以100A、1000A、3000A、5000A及该元件的满通容量进行残压

试验。另外还有半导体浪涌抑制器件:如瞬间二极管,它是一种过箝压器件,简单TKS,利用大面积硅园锥P-N结的雪崩效应实现过箝位,TRS响应速度快、漏电流小,是极佳的过电压吸收器件。齐纳二极管较为常用,其无极性,正反向具有相同的保护特性,但器件的工作电压至少要为联端的工作电压三倍。其适用于交直流回路,常应用于自动化控制装置的输出回路,即继电器线圈或电磁间线圈两端并联应用。

以上各类间隙式,非间隙式和抑制式器件都是通过浪涌电压产生非线性元件瞬时短路的方式实现防雷保护。

4对电子系统及电子设备的防雷看法

由于电子信息设备是集电脑技术与集成微电子技术的产品,它的信号电压只有5~10伏,这种产品的电磁兼容能力较差,很容易感受脉冲过电压的袭击,它受雷击的概率又比较高,受雷电损坏的可能性就大。但是,电子信息系统是由信号采集、传输、存储、检索等多环节组成。鉴于系统环节多、接口多、线路长等原因,给雷电的耦合提供了条件。系统的电源进线接口,信号输入输出接口,接口的线路较长等是感应脉冲过电压容易侵人的原因,也是过电压波侵入的主要通道。

基于以上原因。电子系统及电子设备的防雷保护重点是感应雷。防雷的方法和措施,是按照现行的防雷规范规定的各个防雷分区的交界处安装SPD设备。将整个系统的雷电防护看成是一个系统工程,综合考虑,全方位保护,力求将雷击灾害降低到最低。为此,规范里阐述了三级网络防雷概念。在线路上三级网络防护是逐步减少瞬态浪涌电流幅值的。最后一级将浪涌过电压限制在设备能安全承受的范围内。一般元件可承受两倍其额定电压以上之瞬间电压,约700V左右的峰值过电压。700V的耐压值在欧洲防雷方面被广泛引用。当然,浪涌电压被限制得越低,则设备越安全。因此,我们在工程设计时分别将第一级SPD尽量靠近建筑物的电源进线处,第二、三级SPD尽量靠近被保护设备。第一级过电压限制在1.5-1.8kV,第二级将残压限制在0.9~1.2kV,第三级将残压限制在0.4~0.TkV。通过这三级限压和对浪涌电流的泄放,最后加载到设备上的过电压通常都不会对设备和系统产生影响。现在防雷防电磁脉冲的保护器件还比较贵,技术性能都有差别,有些防雷产品通过保险只是为了促销,设计者不能盲目地认为是可靠的产品,而应按防雷规范的要求进行设计。

篇3

电子元件概念:电子元件也称为被动元件,主要包括电容滤波器、电感镇流器、电阻变压器等等,属于电子类产品的范畴。电子器件与电子元件一起组成电路板的核心部件,是组成各种电子产品设备的基础。在当今,TDK公司生产的电子元件几乎占国际全部电子市场零部件的46.1%,可以看出,TDK公司电子元件已经基本上占据了国际市场的垄断地位。

1.2电子元件市场现状

据TDK公司统计,当前世界电子元件的需求量总额约在6000亿美元左右,预计到2015年,市场规模将突破8000亿美元。TDK公司生产的电子元件在笔记本电脑、智能手机生产领域中的占比都非常高,占比高达到二分之一。高性能电子元件的成本占电子设备整机总成本的约1/3左右。随着TDK公司生产的高性能电子产品功能的逐渐增多,市场电子设备整机对TDK电子元件的需求数量也逐年增加。随着全球电子产业向中国的大规模迁移,TDK公司生产的高性能电子元件在我国电子市场的占比也成逐年上升态势。

2TDK高性能电子元件在电子设备中的应用

2.1陶瓷电容器

陶瓷电容器是国际上技术发展最快、需求数量最大的高性能电子元件之一。TDK公司生产的陶瓷电容器主要配备于各类民用设备和军用设备的集成电路中,使用领域现在也已经拓展到电脑设备、多功能控制仪表、白色家电、智能手机、汽车电子等行业。当前,TDK公司生产陶瓷电容器已成为国际电容器市场的主体,在大容量市场中,陶瓷电容器也已占据绝对优势。全球市场的需求量从2010年的7070亿个,增至2014年21000亿个,市场需求量非常巨大,TDK陶瓷电容器的产业化市场前景广阔。

2.2电感类元件

TDK公司生产的多层电感类元件是镇流线圈型结构的新型高性能电子元件,是当今世界电感类元件发展的方向标。这类电感元件的生产已经形成了颇具规模的利润产业,拥有近千亿美元的国际大市场。多层电感器的使用领域主要包括影音数码产品、智能通信、办公自动化设备等。多层电感器,市场的年需求量大约在3000亿个左右,年增幅约37%。

2.3微波频率元件

TDK公司生产的微波谐虑器和震波电子元件是一种军民双用的新型电子器件,它是在火箭动力制导、空间安全技术和微波处理系统的推动下研发起来的[2]。这种元件典型的使用领域包括:军事上用的雷达、航空航天技术的空间应用技术、移动通信系统等等。近些年来,移动通信行业的飞速发展,大大推动了高性能电子元件向小型集约化和多频化发展的进程,微波频率元件也正朝着这个方向大踏步发展。为了满足WLAN网络、通信移动技术和集成电子电路生产的需要,TDK公司生产的一大批微波频率元件不断在市场上出现,包括片式双工器、片式祸合器、收发模块、祸合器、平衡功分器等。随着移动技术的发展,微波频率元件及所需材料的市场前景大好。

3TDK公司高性能电子元件的未来机遇

TDK公司电子元件产品已经进入了一个高速更新换代的时期。其主要表现是插装向内部组配、数字模拟化、移动式数据平台、电子集成化趋势转变。从技术层面的角度来看,高性能电子元件的多层片式化、片式集成化和集成多功能化成为技术发展的主要方向。基于多层片式陶瓷技术和高温片式陶瓷技术的新一代电子元件已成为当今电子元件的主流,而电子集成化则是电子元件的发展主方向。新一代电子元件已经成为电子产业的新的增长点。此外,在国际化的大趋势下,国际电子行业中心逐渐向中国市场转移,电子元件的本土化采购将成为大势所趋。未来几年,TDK公司的电子元件市场必将出现高速增长规模[3]。TDK公司电子元件产业的利润增长点在于高端产品的研发。片式电子元件的全面升级换代,电子电路集成技术的飞速发展,为TDK公司提供了一系列电子技术跨越式发展的技术平台。抓住历史机遇,增加资本投放力度,研究开发具有TDK公司自主技术产权的新一代电子元件集成系统,是TDK公司未来的发展大趋势,市场前景广阔。

篇4

实施产品化就是把技术变成产品的过程,就遥测系统而言,每一个遥测电子设备本身已是产品,所以遥测电子设备产品化的关键是使产品能够模块化,每个模块能做到通用化,并通过多个模块组合,最终使成熟产品实现货架管理。

1.模块化设计

遥测电子设备的模块化设计是其产品化实现的核心。模块化设计是根据用户的不同需求将产品功能进行细分,再根据不同功能划分成不同模块,尽量保证同一功能不在多个模块中出现,同时一个模块不实现多个功能。如果产品功能需要大而全的话,那么模块设计就应实现小而精,即功能单一、接口通用、结构统一,以便于多个模块进行组合。

2.梳理产品类型

对遥测电子设备进行产品化,首先要对现有产品类型进行梳理,然后再对每个类型产品的产品树进行梳理,形成关键通用产品目录,以确定每种类型产品的属性,并由此生成产品货架目录。目前,遥测电子设备可分为无线遥测、外测、存储测量、供配电和传感器五大类。以存储测量类设备为例,其包括采编器、存储器、接口控制器、地面测试台和光端机等,所以存储测量类货架产品包括采编器、存储器和接口控制器等几种。

3.划分功能模块

基于对产品类型的梳理,对每个类型产品中的设备进行功能模块划分,如采编器可以分为电源模块、信号选通模块、采集编码模块和接口模块,然后再根据相应的标准电路生成通用化、标准化的模块,以供不同产品选用。

4.开展模块组合化

以采编器为例,将其电源模块和接口模块进行组合可以生成接口控制器,将电源模块、接口模块、信号选通模块和采集编码模块进行组合就可以生成采编器。如果各个功能模块已经成熟、通用且结构尺寸统一,那么产品的生成可以简单地理解为是相应功能模块的组合。

二、产品化实施效果

遥测电子设备产品化工作的开展,有力地推进了北京航天飞行器研究所遥测专业的快速发展,同时也对实现快速研发,适应高强密度发射和确保型号成功起到积极的促进作用。

1.效率得到大幅提升

遥测电子设备产品化的实施,大幅缩短了产品的研制时间,解决了使用大量人力、物力,时间紧、任务重的难题,将设计人员从繁重的重复设计中解放出来,以便能更好地参与其它科研生产任务。

2.可靠性得到保证

遥测电子设备产品化的核心是模块化。不同产品由相应的模块组合而成,每个模块都相对成熟,并已有效应用到不同产品中,提高了遥测电子设备的产品质量,使产品的可靠性得到有效保证。

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