Journal Of Inorganic Materials
  • 中科院分区:4区
  • JCR分区:Q2
  • CiteScore :2.9

Journal Of Inorganic MaterialsSCIE

国际简称:J INORG MATER 中文名称:无机材料杂志

Journal Of Inorganic Materials杂志是一本工程技术-材料科学:硅酸盐应用杂志。是一本国际优秀学术杂志,由Science Press出版,该期刊创刊于1986年,出版周期为Bimonthly,始终保持着高质量和高水平的学术内容。在中科院分区表2023年12月升级版中,被归类为大类学科分区4区,显示出其优秀的学术水平和影响力。

  • ISSN:1000-324X

  • 出版地区:PEOPLES R CHINA

  • 出版周期:Bimonthly

  • 创刊时间:1986

  • 出版语言:Chinese

  • 是否OA:未开放

  • 预计审稿时间: 约1.0个月

  • 影响因子:1.7

  • 是否预警:否

  • 研究方向:工程技术,材料科学:硅酸盐

  • 年发文量:168

  • 研究类文章占比:89.88%

  • Gold OA文章占比:92.29%

  • H-index:23

  • 开源占比:0.9981

  • 文章自引率:0.1176...

杂志简介

《无机材料学报》是中国科学院上海硅酸盐研究所主办的附英文摘要的学术期刊,科学出版社于1986年创刊,月刊,每期112页。

值得一提的是,Journal Of Inorganic Materials已成功入选 SCIE(科学引文索引扩展板) 等国际知名数据库,这进一步彰显了其作为国际优秀期刊的卓越地位和广泛影响力。自创刊以来,该杂志一直保持着Bimonthly的出版周期,以高质量、高水平的学术内容著称。在JCR(Journal Citation Reports)分区等级中,该期刊荣获Q2评级。此外,其CiteScore指数达到2.9,该期刊2023年的影响因子达到1.7,再次验证了其优秀学术水平。

Journal Of Inorganic Materials是一本未开放获取期刊,但其高质量的学术内容和广泛的影响力使其成为了材料科学-MATERIALS SCIENCE, CERAMICS研究领域不可或缺的重要刊物。无论是对于学者、研究人员还是学术界来说,该期刊都是一份不可或缺的重要资源。

期刊指数

中科院SCI分区
CiteScore指数
自引率
发文量
影响因子

中科院SCI分区是中国科学院对SCI期刊进行的一种分类和评级。在学术界,中科院SCI分区被广泛应用于科研业绩奖励、职称评审等方面。许多高校和科研单位会按照中科院SCI分区的标准来加权计算科研成果的影响力。因此,对于科研工作者来说,了解中科院SCI分区的标准和方法,以及具体的分区结果,对于评估自己的科研成果和选择合适的期刊发表论文都非常重要。

CiteScore(或称为引用指数)是由全球著名学术出版商Elsevier于2016年12月基于Scopus数据源推出的期刊评价指标。CiteScore指数能够反映期刊在较长时间内的平均影响力。通过计算期刊过去四年内发表的文章被引用的次数,这使得该指标能够更准确地评估期刊的影响力和学术价值。

自引率的计算公式为:自引率 = (期刊自己发表的文章被自己引用的次数) / (期刊自己发表的文章总数)。其中,期刊自己发表的文章指的是该期刊所发表的所有论文,包括文章、综述、简报、通讯等各类论文。如果自引率过高,可能会影响到该期刊的学术声誉和权威性。

中科院分区表

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学 4区
MATERIALS SCIENCE, CERAMICS 材料科学:硅酸盐
4区

JCR 分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:MATERIALS SCIENCE, CERAMICS SCIE Q2 15 / 31

53.2%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:MATERIALS SCIENCE, CERAMICS SCIE Q3 17 / 31

46.77%

CiteScore 分区(2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
2.9 0.346 0.433
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Materials Science 小类:General Materials Science Q3 277 / 463

40%

大类:Materials Science 小类:Inorganic Chemistry Q3 51 / 79

36%

文章摘录

  • Double Dielectric Layer Metal-oxide Memristor: Design and Applications Author: You Junqi; Li Ce; Yang Dongliang; Sun Linfeng Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 387-398. DOI: 10.15541/jim20220760
  • Research Progress of Flexible Neuromorphic Transistors Author: Yang Yang; Cui Hangyuan; Zhu Ying; Wan Changjin; Wan Qing Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 367-377. DOI: 10.15541/jim20220700
  • Fabrication and Microstructure of Gd2O2S:Tb Scintillation Ceramics from Water-bath Synthesized Nano-powders: Influence of H2SO4/Gd2O3 Molar Ratio Author: Wu Junlin; Ding Jiyang; Huang Xinyou; Zhu Danyang; Huang Dong; Dai Zhengfa; Yang Wenqin; Jiang Xingfen; Zhou Jianrong; Sun Zhijia; Li Jiang Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 452-460. DOI: 10.15541/jim20220542
  • Defect-induced Analogue Resistive Switching Behavior in FeOx-based Memristor and Synaptic Paired-pulse Facilitation Feature Author: Wang Tongyu; Ran Haofeng; Zhou Guangdong Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 437-444. DOI: 10.15541/jim20220721
  • Enhanced Degradation of Methyl Orange with CoFe2O4@Zeolite Catalyst as Peroxymonosulfate Activator: Performance and Mechanism Author: Wang Lei; Li Jianjun; Ning Jun; Hu Tianyu; Wang Hongyang; Zhang Zhanqun; Wu Linxin Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 469-+. DOI: 10.15541/jim20220591
  • Dual-gate IGZO-based Neuromorphic Transistors with Stacked Al2O3/Chitosan Gate Dielectrics Author: Wang Jingyu; Wan Changjin; Wan Qing Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 445-451. DOI: 10.15541/jim20220767
  • Intrinsically Stretchable Threshold Switching Memristor for Artificial Neuron Implementations Author: Tian Yu; Zhu Xiaojian; Sun Cui; Ye Xiaoyu; Liu Huiyuan; Li Runwei Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 413-420. DOI: 10.15541/jim20220712
  • Effect of Plasma Treatment on the Long-term Plasticity of Synaptic Transistor Author: Qiu Haiyang; Miao Guangtan; Li Hui; Luan Qi; Liu Guoxia; Shan Fukai Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 406-412. DOI: 10.15541/jim20220675

免责声明

若用户需要出版服务,请联系出版商:SCIENCE CHINA PRESS, 16 DONGHUANGCHENGGEN NORTH ST, BEIJING, PEOPLES R CHINA, 100717。