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Microelectronic Engineering
  • 中科院分区：4区
  • JCR分区：Q2
  • CiteScore ：5.3

Microelectronic EngineeringSCIE

国际简称：MICROELECTRON ENG 中文名称：微电子工程

Microelectronic Engineering杂志是一本工程技术-工程：电子与电气应用杂志。是一本国际优秀学术杂志，由Elsevier出版，该期刊创刊于1983年，出版周期为Monthly，始终保持着高质量和高水平的学术内容。在中科院分区表2023年12月升级版中，被归类为大类学科分区4区，显示出其优秀的学术水平和影响力。

  • ISSN：0167-9317

  • 出版地区：NETHERLANDS

  • 出版周期：Monthly

  • E-ISSN：1873-5568

  • 创刊时间：1983

  • 出版语言：English

  • 是否OA：未开放

  • 预计审稿时间： 约6.0个月

  • 影响因子：2.6

  • 是否预警：否

  • 研究方向：工程技术,工程：电子与电气

  • 年发文量：100

  • 研究类文章占比：91.00%

  • Gold OA文章占比：15.94%

  • H-index：89

  • 出版国人文章占比：0.14

  • 开源占比：0.0341

  • 文章自引率：0.0434...

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杂志简介 期刊指数 中科院分区表 JCR 分区 CiteScore 分区 文章摘录 相关杂志

杂志简介

《微电子工程》是首屈一指的纳米加工和纳米技术期刊，专注于电子、光子、生物电子、机电和流体设备和系统的制造，以及它们在电子、光子学、能源、生命科学和环境等广泛领域的应用。它还涵盖了不断扩展的跨学科领域，即“超过摩尔”和“超越摩尔”集成纳米电子学/光子学和微/纳米/生物系统。通过其独特的同行评审文章、评论、加速出版物、简短和技术说明以及有关关键发展的最新研究新闻的混合，《微电子工程》为学术界研究人员和行业专业人士提供了对这一令人兴奋、跨学科且充满活力的新领域的全面报道。

值得一提的是，Microelectronic Engineering已成功入选 SCIE（科学引文索引扩展板） 等国际知名数据库，这进一步彰显了其作为国际优秀期刊的卓越地位和广泛影响力。自创刊以来，该杂志一直保持着Monthly的出版周期，以高质量、高水平的学术内容著称。在JCR（Journal Citation Reports）分区等级中，该期刊荣获Q2评级。此外，其CiteScore指数达到5.3，该期刊2023年的影响因子达到2.6，再次验证了其优秀学术水平。

Microelectronic Engineering是一本未开放获取期刊，但其高质量的学术内容和广泛的影响力使其成为了工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC研究领域不可或缺的重要刊物。无论是对于学者、研究人员还是学术界来说，该期刊都是一份不可或缺的重要资源。

期刊指数

中科院SCI分区
CiteScore指数
自引率
发文量
影响因子

中科院SCI分区是中国科学院对SCI期刊进行的一种分类和评级。在学术界，中科院SCI分区被广泛应用于科研业绩奖励、职称评审等方面。许多高校和科研单位会按照中科院SCI分区的标准来加权计算科研成果的影响力。因此，对于科研工作者来说，了解中科院SCI分区的标准和方法，以及具体的分区结果，对于评估自己的科研成果和选择合适的期刊发表论文都非常重要。

CiteScore（或称为引用指数）是由全球著名学术出版商Elsevier于2016年12月基于Scopus数据源推出的期刊评价指标。CiteScore指数能够反映期刊在较长时间内的平均影响力。通过计算期刊过去四年内发表的文章被引用的次数，这使得该指标能够更准确地评估期刊的影响力和学术价值。

自引率的计算公式为：自引率 = （期刊自己发表的文章被自己引用的次数） / （期刊自己发表的文章总数）。其中，期刊自己发表的文章指的是该期刊所发表的所有论文，包括文章、综述、简报、通讯等各类论文。如果自引率过高，可能会影响到该期刊的学术声誉和权威性。

中科院分区表

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
否 否 工程技术 4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理：应用
4区 4区 4区 4区

JCR 分区（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 157 / 352

55.5%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140

33.2%
学科：OPTICS SCIE Q2 45 / 119

62.6%
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 81 / 179

55%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

49.58%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 74 / 140

47.5%
学科：OPTICS SCIE Q3 64 / 120

47.08%
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 88 / 179

51.12%

CiteScore 分区（2024年最新版）

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
5.3 0.503 0.847
学科类别 分区 排名 百分位
大类：Physics and Astronomy 小类：Condensed Matter Physics Q2 127 / 434

70%
大类：Physics and Astronomy 小类：Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 68 / 224

69%
大类：Physics and Astronomy 小类：Electrical and Electronic Engineering Q2 242 / 797

69%
大类：Physics and Astronomy 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 87 / 284

69%
大类：Physics and Astronomy 小类：Surfaces, Coatings and Films Q2 42 / 132

68%

文章摘录

  • Investigation of trapping/de-trapping dynamics of surface states in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors based on dual-gate structures Author: Luan, Tiantian; Jiang, Qimeng; Huang, Sen; Wang, Xinhua; Jin, Hao; Guo, Fuqiang; Yao, Yixu; Fan, Jie; Yin, Haibo; Wei, Ke; Li, Yankui; Jiang, Haojie; Li, Junfeng; Liu, Xinyu Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 269, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111916
  • Soybean-based memristor for multilevel data storage and emulation of synaptic behavior Author: Wang, Lu; Li, Wenhao; Wen, Dianzhong Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 267, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111911
  • La-doped BiFeO3 junction based random access multilevel nonvolatile memory Author: Li, Dong; Zhu, Xiaodong; Wu, Yanan; Zhao, Jian; Zhang, Kaimin; Li, Rui; Hao, Danni; Ma, Yanqing; Moro, Ramiro; Ma, Lei Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 267, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111908
  • A dual-mass fully decoupled MEMS gyroscope with optimized structural design for minimizing mechanical quadrature coupling Author: Wu, Zhongye; Feng, Ronghui; Sun, Chengliang; Wang, Peng; Wu, Guoqiang Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 269, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111918
  • Dynamical analysis, circuit implementation, and simultaneous application of a novel four-dimensional hyperchaotic system based on cosine functions Author: Zhang, Jie; Hou, Jinyou; Xu, Longhao; Zhu, Xiaopeng; Xie, Qinggang Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 271, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111939
  • Machine learning algorithm for the structural design of MEMS resonators Author: Gu, Liutao; Zhang, Weiping; Lu, Haolin; Wu, Yuting; Fan, Chongyang Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 271, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111950
  • The insight and evaluation of ultra-scaled sub-1 nm gate length transistors Author: Tian, He; Shen, Yang; Yan, Zhaoyi; Liu, Yanming; Wu, Fan; Ren, Tian-Ling Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 273, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111963
  • Simulation study of zone-height limit by electron beam lithography for 30 nm Fresnel zone plates in X ray optics Author: Chen, Qiucheng; Mu, Chengyang; Tong, Xujie; Zhao, Jun; Wu, Qingxin; Chen, Yifang Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 273, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111965

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