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Microelectronics Journal
  • 中科院分区：3区
  • JCR分区：Q3
  • CiteScore ：4

Microelectronics JournalSCIE

国际简称：MICROELECTRON J 中文名称：微电子杂志

Microelectronics Journal杂志是一本工程技术-工程：电子与电气应用杂志。是一本国际优秀学术杂志，由Elsevier出版，该期刊创刊于1967年，出版周期为Monthly，始终保持着高质量和高水平的学术内容。在中科院分区表2023年12月升级版中，被归类为大类学科分区3区，显示出其优秀的学术水平和影响力。

  • ISSN：0026-2692

  • 出版地区：ENGLAND

  • 出版周期：Monthly

  • E-ISSN：1879-2391

  • 创刊时间：1967

  • 出版语言：English

  • 是否OA：未开放

  • 预计审稿时间： 约3.0个月

  • 影响因子：1.9

  • 是否预警：否

  • 研究方向：工程技术,工程：电子与电气

  • 年发文量：293

  • 研究类文章占比：99.32%

  • Gold OA文章占比：2.61%

  • H-index：59

  • 开源占比：0.0103

  • 文章自引率：0.2727...

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杂志简介 期刊指数 中科院分区表 JCR 分区 CiteScore 分区 文章摘录 相关杂志

杂志简介

《微电子学杂志》自 1969 年创刊以来，是一个传播微电子系统、电路和新兴技术研究和应用的国际论坛。《微电子学杂志》上发表的论文都经过同行评审，以确保其原创性、相关性和时效性。因此，该杂志提供了有关微电子电路和系统的全球定期全面更新。

《微电子学杂志》诚邀撰写描述以下所有领域重要研究和应用的论文。涵盖最新发展的综合评论/调查论文也将予以考虑。《微电子学杂志》涵盖电路和系统。该主题包括但不限于：模拟、数字、混合和射频电路及相关设计方法；逻辑、架构和系统级综合；测试、可测试性设计、内置自测试；面积、功率和热分析与设计；混合域仿真与设计；嵌入式系统；非冯诺依曼计算及相关技术和电路；高复杂度系统集成的设计和测试； SoC、NoC、SIP 和 NIP 设计和测试；3-D 集成设计和分析；新兴器件技术和电路，如 FinFET、SET、自旋电子学、SFQ、MTJ 等。

也欢迎应用方面，例如信号和图像处理（包括密码电路）、传感器和执行器（包括传感器网络）、可靠性和质量问题以及经济模型。

值得一提的是，Microelectronics Journal已成功入选 SCIE（科学引文索引扩展板） 等国际知名数据库，这进一步彰显了其作为国际优秀期刊的卓越地位和广泛影响力。自创刊以来，该杂志一直保持着Monthly的出版周期，以高质量、高水平的学术内容著称。在JCR（Journal Citation Reports）分区等级中，该期刊荣获Q3评级。此外，其CiteScore指数达到4，该期刊2023年的影响因子达到1.9，再次验证了其优秀学术水平。

Microelectronics Journal是一本未开放获取期刊，但其高质量的学术内容和广泛的影响力使其成为了工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC研究领域不可或缺的重要刊物。无论是对于学者、研究人员还是学术界来说，该期刊都是一份不可或缺的重要资源。

期刊指数

中科院SCI分区
CiteScore指数
自引率
发文量
影响因子

中科院SCI分区是中国科学院对SCI期刊进行的一种分类和评级。在学术界，中科院SCI分区被广泛应用于科研业绩奖励、职称评审等方面。许多高校和科研单位会按照中科院SCI分区的标准来加权计算科研成果的影响力。因此，对于科研工作者来说，了解中科院SCI分区的标准和方法，以及具体的分区结果，对于评估自己的科研成果和选择合适的期刊发表论文都非常重要。

CiteScore（或称为引用指数）是由全球著名学术出版商Elsevier于2016年12月基于Scopus数据源推出的期刊评价指标。CiteScore指数能够反映期刊在较长时间内的平均影响力。通过计算期刊过去四年内发表的文章被引用的次数，这使得该指标能够更准确地评估期刊的影响力和学术价值。

自引率的计算公式为：自引率 = （期刊自己发表的文章被自己引用的次数） / （期刊自己发表的文章总数）。其中，期刊自己发表的文章指的是该期刊所发表的所有论文，包括文章、综述、简报、通讯等各类论文。如果自引率过高，可能会影响到该期刊的学术声誉和权威性。

中科院分区表

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
否 否 工程技术 3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技
3区 4区

JCR 分区（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 110 / 140

21.8%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 238 / 354

32.91%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140

33.21%

CiteScore 分区（2024年最新版）

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
4 0.39 0.854
学科类别 分区 排名 百分位
大类：Physics and Astronomy 小类：Condensed Matter Physics Q2 181 / 434

58%
大类：Physics and Astronomy 小类：Electrical and Electronic Engineering Q2 332 / 797

58%
大类：Physics and Astronomy 小类：Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 101 / 224

55%
大类：Physics and Astronomy 小类：Surfaces, Coatings and Films Q2 61 / 132

54%
大类：Physics and Astronomy 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 133 / 284

53%

文章摘录

  • 16-Cell stackable battery monitoring and management integrated circuit for electric vehicles Author: Zhu, Guangqian; Qian, Libo; Li, Yongyuan; Guo, Wei; Ding, Ruixue; Yang, Yintang Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2023; Vol. 136, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2023.105782
  • A wafer-level three-step calibration technique for BJT-based CMOS temperature sensor Author: Gao, Ying; Liu, Xin; Jiang, Yanfeng Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2023; Vol. 131, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2022.105671
  • Scalable modeling of grounded coplanar waveguide for MMICs design using neural network with an effective sampling strategy Author: Hu, Yanghui; Zhang, Yuming; Lu, Hongliang; Tan, Daidao; Qi, Junjun Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2023; Vol. 131, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2022.105670
  • A configurable area-efficient LCoS chip design with centrosymmetric pixel array Author: Zhao, Tianhu; Liang, Yuhua; Feng, Lichen Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2023; Vol. 131, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2022.105652
  • On-chip SRR and CSRR for millimeter-wave integrated systems: Review and applications Author: Yang, Ke; Liang, Yuan; Zhang, Hao Chi; Feng, Guangyin Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2023; Vol. 131, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2022.105664
  • A 10-MHz 85.1-dB SFDR 1.1-mW continuous-time Delta-sigma modulator employing calibration-free SC DAC and passive front-end low-pass filter Author: Jin, Wei; Pun, Kong-Pang Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2023; Vol. 131, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2022.105666
  • CMOS variable-gain phase shifter based on time-varying vector-sum method and its application to Ku-band phased array Author: Cheng, Guoxiao; Zhang, Jin-Dong; Chen, Qiaoyu; Sima, Boyu; Wu, Wen Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2023; Vol. 131, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2022.105672
  • A novel-16-60 V input common-mode voltage current-shunt monitor? Author: Duan, Quanzhen; Duan, Ying; Kong, Dameng; Li, Liwei; Huang, Shengming Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2023; Vol. 131, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2022.105663

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