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首页 SCI期刊 工程技术 Ieee Transactions On Electron Devices杂志介绍(非官网)
Ieee Transactions On Electron Devices
  • 中科院分区：2区
  • JCR分区：Q2
  • CiteScore ：5.8

Ieee Transactions On Electron DevicesSCIE

国际简称：IEEE T ELECTRON DEV 中文名称：IEEE Transactions On Electron Devices

Ieee Transactions On Electron Devices杂志是一本工程技术-工程：电子与电气应用杂志。是一本享有盛誉的顶级学术杂志，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版，该期刊创刊于1954年，出版周期为Monthly，始终保持着高质量和高水平的学术内容。在中科院分区表2023年12月升级版中，被归类为大类学科分区2区，显示出其卓越的学术水平和影响力。

  • ISSN：0018-9383

  • 出版地区：UNITED STATES

  • 出版周期：Monthly

  • E-ISSN：1557-9646

  • 创刊时间：1954

  • 出版语言：English

  • 是否OA：未开放

  • 预计审稿时间： 约4.7个月

  • 影响因子：2.9

  • 是否预警：否

  • 研究方向：工程技术,工程：电子与电气

  • 年发文量：1084

  • 研究类文章占比：100.00%

  • Gold OA文章占比：6.38%

  • H-index：165

  • 出版国人文章占比：0.22

  • 开源占比：0.0674

  • 文章自引率：0.1612...

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杂志简介 期刊指数 中科院分区表 JCR 分区 CiteScore 分区 文章摘录 相关杂志

杂志简介

《IEEE 电子器件学报》发表与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性有关的原创和重要贡献，涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新兴材料，应用于生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电、成像、微致动器、纳米电子学、光电子学、光伏、电源 IC 和微传感器。还发表了关于这些主题的教程和评论论文，偶尔还会出版专刊，介绍一系列更深入、更广泛地讨论特定领域的论文。

值得一提的是，Ieee Transactions On Electron Devices已成功入选 SCIE（科学引文索引扩展板） 等国际知名数据库，这进一步彰显了其作为国际优秀期刊的卓越地位和广泛影响力。自创刊以来，该杂志一直保持着Monthly的出版周期，以高质量、高水平的学术内容著称。在JCR（Journal Citation Reports）分区等级中，该期刊荣获Q2评级。此外，其CiteScore指数达到5.8，该期刊2023年的影响因子达到2.9，再次验证了其优秀学术水平。

Ieee Transactions On Electron Devices是一本未开放获取期刊，但其高质量的学术内容和广泛的影响力使其成为了工程技术-PHYSICS, APPLIED研究领域不可或缺的重要刊物。无论是对于学者、研究人员还是学术界来说，该期刊都是一份不可或缺的重要资源。

期刊指数

中科院SCI分区
CiteScore指数
自引率
发文量
影响因子

中科院SCI分区是中国科学院对SCI期刊进行的一种分类和评级。在学术界，中科院SCI分区被广泛应用于科研业绩奖励、职称评审等方面。许多高校和科研单位会按照中科院SCI分区的标准来加权计算科研成果的影响力。因此，对于科研工作者来说，了解中科院SCI分区的标准和方法，以及具体的分区结果，对于评估自己的科研成果和选择合适的期刊发表论文都非常重要。

CiteScore（或称为引用指数）是由全球著名学术出版商Elsevier于2016年12月基于Scopus数据源推出的期刊评价指标。CiteScore指数能够反映期刊在较长时间内的平均影响力。通过计算期刊过去四年内发表的文章被引用的次数，这使得该指标能够更准确地评估期刊的影响力和学术价值。

自引率的计算公式为：自引率 = （期刊自己发表的文章被自己引用的次数） / （期刊自己发表的文章总数）。其中，期刊自己发表的文章指的是该期刊所发表的所有论文，包括文章、综述、简报、通讯等各类论文。如果自引率过高，可能会影响到该期刊的学术声誉和权威性。

中科院分区表

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
否 否 工程技术 2区
PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气
2区 3区

JCR 分区（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352

59.5%
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179

62.3%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354

59.18%
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179

66.2%

CiteScore 分区（2024年最新版）

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
5.8 0.785 1.223
学科类别 分区 排名 百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering Q2 221 / 797

72%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 82 / 284

71%

文章摘录

  • Suppression of Mode Competition in a Triaxial Klystron Amplifier With an Improved Three-Gap Bunching Cavity Author: Yang, Fuxiang; Ge, Xingjun; Dang, Fangchao; He, Juntao; Ju, Jinchuan; Zhang, Xiaoping; Zhou, Yunxiao Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3263151
  • Surface-Potential-Based Drain Current Model for Ambipolar Organic TFTs Author: He, Hongyu; Yin, Junli; Lin, Xinnan; Zhang, Shengdong Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3264718
  • Electrical Performance Enhancement and Low-Frequency Noise Estimation of In2O3-Based Thin Film Transistor Based on Doping Engineering Author: Wu, Xiaoyu; He, Gang; Wang, Wenhao; Wang, Leini; Xu, Xiaofen; Gao, Qian; Liu, Yanmei; Jiang, Shanshan Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 105-112. DOI: 10.1109/TED.2022.3220482
  • Investigation of the Progressive Gate Breakdown Behaviors in p-GaN Gate HEMTs Author: Chao, Xin; Tang, Chengkang; Tan, Jingjing; Wang, Chen; Sun, QingQing; Zhang, David Wei Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 25-30. DOI: 10.1109/TED.2022.3220498
  • A Datasheet-Driven Nonsegmented Empirical SPICE Model of SiC MOSFET With Improved Accuracy and Convergence Capability Author: Yang, Tongtong; Li, Xianbing; Yin, Sen; Wang, Yan; Yue, Ruifeng Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 4-12. DOI: 10.1109/TED.2022.3220481
  • A Refined Ladder Transmission Line Model for the Extraction of Significantly Low Specific Contact Resistivity Author: Sun, Xianglie; Luo, Jun; Liu, Yaodong; Xu, Jing; Gao, Jianfeng; Liu, Jinbiao; Zhou, Xuebing; He, Yanping; Kong, Mengjuan; Li, Yongliang; Li, Junfeng; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 209-214. DOI: 10.1109/TED.2022.3221380
  • Analysis of Breakdown-Voltage Increase on SiC Junction Barrier Schottky Diode Under Negative Bias Stress Author: Jin, Fu-Yuan; Chen, Po-Hsun; Hung, Wei-Chun; Hung, Wei-Chieh; Chang, Chin-Han; Ciou, Fong-Min; Lin, Yu-Shan; Chang, Kai-Chun; Lin, Yun-Hsuan; Kuo, Ting-Tzu; Chen, Kuan-Hsu; Yeh, Chien-Hung; Chang, Ting-Chang Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 191-195. DOI: 10.1109/TED.2022.3223645
  • Novel Snapback-Free Shorted-Anode SOI-LIGBT With Shallow Oxide Trench and Adaptive Electron Channel Author: Wu, Lijuan; Song, Xuanting; Zhang, Banghui; Liu, Heng; Liu, Qing; Liu, Yangzhi; Qiu, Tao Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 185-190. DOI: 10.1109/TED.2022.3223325

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