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Advanced Electronic Materials
  • 中科院分区：2区
  • JCR分区：Q1
  • CiteScore ：11

Advanced Electronic MaterialsSCIE

国际简称：ADV ELECTRON MATER 中文名称：先进电子材料

Advanced Electronic Materials杂志是一本NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGYMATERIALS SCIE-MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY应用杂志。是一本享有盛誉的顶级学术杂志，由Wiley-VCH Verlag出版，该期刊创刊于2015年，出版周期为12 issues/year，始终保持着高质量和高水平的学术内容。在中科院分区表2023年12月升级版中，被归类为大类学科分区2区，显示出其卓越的学术水平和影响力。

  • ISSN：2199-160X

  • 出版地区：GERMANY

  • 出版周期：12 issues/year

  • E-ISSN：2199-160X

  • 创刊时间：2015

  • 出版语言：English

  • 是否OA：未开放

  • 预计审稿时间： 10 Weeks

  • 影响因子：5.3

  • 是否预警：否

  • 研究方向：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGYMATERIALS SCIE,MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY

  • 年发文量：389

  • 研究类文章占比：94.34%

  • Gold OA文章占比：47.14%

  • H-index：33

  • 出版国人文章占比：0.32

  • 开源占比：0.2053

  • 文章自引率：0.0322...

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杂志简介 期刊指数 中科院分区表 JCR 分区 CiteScore 分区 文章摘录 相关杂志

杂志简介

先进电子材料是一个跨学科论坛，旨在开展材料科学、物理学和电子及磁性材料工程领域的同行评审、高质量、高影响力的研究。除了基础研究外，它还包括电子和磁性材料的物理和物理特性、自旋电子学、电子学、器件物理和工程、微纳机电系统和有机电子学的研究。

值得一提的是，Advanced Electronic Materials已成功入选 SCIE（科学引文索引扩展板） 等国际知名数据库，这进一步彰显了其作为国际优秀期刊的卓越地位和广泛影响力。自创刊以来，该杂志一直保持着12 issues/year的出版周期，以高质量、高水平的学术内容著称。在JCR（Journal Citation Reports）分区等级中，该期刊荣获Q1评级。此外，其CiteScore指数达到11，该期刊2023年的影响因子达到5.3，再次验证了其优秀学术水平。

Advanced Electronic Materials是一本未开放获取期刊，但其高质量的学术内容和广泛的影响力使其成为了材料科学-PHYSICS, APPLIED研究领域不可或缺的重要刊物。无论是对于学者、研究人员还是学术界来说，该期刊都是一份不可或缺的重要资源。

期刊指数

中科院SCI分区
CiteScore指数
自引率
发文量
影响因子

中科院SCI分区是中国科学院对SCI期刊进行的一种分类和评级。在学术界，中科院SCI分区被广泛应用于科研业绩奖励、职称评审等方面。许多高校和科研单位会按照中科院SCI分区的标准来加权计算科研成果的影响力。因此，对于科研工作者来说，了解中科院SCI分区的标准和方法，以及具体的分区结果，对于评估自己的科研成果和选择合适的期刊发表论文都非常重要。

CiteScore（或称为引用指数）是由全球著名学术出版商Elsevier于2016年12月基于Scopus数据源推出的期刊评价指标。CiteScore指数能够反映期刊在较长时间内的平均影响力。通过计算期刊过去四年内发表的文章被引用的次数，这使得该指标能够更准确地评估期刊的影响力和学术价值。

自引率的计算公式为：自引率 = （期刊自己发表的文章被自己引用的次数） / （期刊自己发表的文章总数）。其中，期刊自己发表的文章指的是该期刊所发表的所有论文，包括文章、综述、简报、通讯等各类论文。如果自引率过高，可能会影响到该期刊的学术声誉和权威性。

中科院分区表

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
否 否 材料科学 2区
PHYSICS, APPLIED 物理：应用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技
2区 3区 3区

JCR 分区（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 122 / 438

72.3%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q2 46 / 140

67.5%
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q1 42 / 179

76.8%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 126 / 438

71.35%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q2 46 / 140

67.5%
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 48 / 179

73.46%

CiteScore 分区（2024年最新版）

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
11 1.689 1.154
学科类别 分区 排名 百分位
大类：Materials Science 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 36 / 284

87%

文章摘录

  • High-kappa and High-Temperature Dipolar Glass Polymers Based on Sulfonylated and Cyanolated Poly(Arylene Ether)s for Capacitive Energy Storage Author: Huang, Wen; Ju, Tianxiong; Li, Ruipeng; Duan, Yajun; Duan, Yanan; Wei, Junji; Zhu, Lei Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200414
  • Design Strategies for Strain-Insensitive Wearable Healthcare Sensors and Perspective Based on the Seebeck Coefficient Author: Xin, Yangyang; Zhou, Jian; Nesser, Hussein; Lubineau, Gilles Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200534
  • Novel Dielectric Nanogranular Materials with an Electrically Tunable Frequency Response Author: Cao, Yang; Kobayashi, Nobukiyo; Wang, Cheng; Takahashi, Saburo; Maekawa, Sadamichi; Masumoto, Hiroshi Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202201218
  • Electrical Detection of Magnetic Skyrmions in a Magnetic Tunnel Junction Author: Guang, Yao; Zhang, Like; Zhang, Junwei; Wang, Yadong; Zhao, Yuelei; Tomasello, Riccardo; Zhang, Senfu; He, Bin; Li, Jiahui; Liu, Yizhou; Feng, Jiafeng; Wei, Hongxiang; Carpentieri, Mario; Hou, Zhipeng; Liu, Junming; Peng, Yong; Zeng, Zhongming; Finocchio, Giovanni; Zhang, Xixiang; Coey, John Michael David; Han, Xiufeng; Yu, Guoqiang Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200570
  • Electrically Tuning Interfacial Ion Redistribution for mica/WSe2 Memory Transistor Author: Yang, Zhihao; Wang, Dong; Wang, Shaoyuan; Tan, Chao; Yang, Lei; Wang, Zegao Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200679
  • Spatiotemporal Modulation of Plasticity in Multi-Terminal Tactile Synaptic Transistor Author: Mo, Wen-Ai; Ding, Guanglong; Nie, Zihao; Feng, Zihao; Zhou, Kui; Chen, Ruo-Si; Xie, Peng; Shang, Gang; Han, Su-Ting; Zhou, Ye Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200733
  • Large and Tunable Magnetoresistance in Cr1-xTe/Al2O3/Cr1-xTe Vertical Spin Valve Device Author: Gao, Zhansheng; Chen, Jiabiao; Zhang, Zheshan; Liu, Zhaochao; Zhang, Yu; Xu, Lingyun; Wu, Jinxiong; Luo, Feng Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200823
  • Synergistically Enhanced Performance and Reliability of Abrupt Metal-Oxide Heterojunction Transistor Author: Wang, Pengfei; Yang, Huan; Li, Jiye; Zhang, Xiaohui; Wang, Lei; Xiao, Juncheng; Zhao, Bin; Zhang, Shengdong; Lu, Lei Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200807

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