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Journal Of Semiconductors
  • 中科院分区：4区
  • JCR分区：Q2
  • CiteScore ：6.7

Journal Of SemiconductorsSCIE

国际简称：J SEMICOND 中文名称：半导体学报

Journal Of Semiconductors杂志是一本PHYSICS, CONDENSED MATTER应用杂志。是一本国际优秀学术杂志，由Institute of Physics Publishing出版，出版周期为12 issues/year，始终保持着高质量和高水平的学术内容。在中科院分区表2023年12月升级版中，被归类为大类学科分区4区，显示出其优秀的学术水平和影响力。

  • ISSN：1674-4926

  • 出版地区：PEOPLES R CHINA

  • 出版周期：12 issues/year

  • E-ISSN：1674-4926

  • 出版语言：English

  • 是否OA：未开放

  • 预计审稿时间：

  • 影响因子：4.8

  • 是否预警：否

  • 研究方向：PHYSICS, CONDENSED MATTER

  • 年发文量：115

  • 研究类文章占比：68.70%

  • Gold OA文章占比：0.00%

  • 文章自引率：0.0980...

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杂志简介 期刊指数 中科院分区表 JCR 分区 CiteScore 分区 文章摘录 相关杂志

杂志简介

创刊于1980年，是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。

值得一提的是，Journal Of Semiconductors已成功入选 SCIE（科学引文索引扩展板） 等国际知名数据库，这进一步彰显了其作为国际优秀期刊的卓越地位和广泛影响力。自创刊以来，该杂志一直保持着12 issues/year的出版周期，以高质量、高水平的学术内容著称。在JCR（Journal Citation Reports）分区等级中，该期刊荣获Q2评级。此外，其CiteScore指数达到6.7，该期刊2023年的影响因子达到4.8，再次验证了其优秀学术水平。

Journal Of Semiconductors是一本未开放获取期刊，但其高质量的学术内容和广泛的影响力使其成为了物理与天体物理-PHYSICS, CONDENSED MATTER研究领域不可或缺的重要刊物。无论是对于学者、研究人员还是学术界来说，该期刊都是一份不可或缺的重要资源。

期刊指数

中科院SCI分区
CiteScore指数
自引率
发文量
影响因子

中科院SCI分区是中国科学院对SCI期刊进行的一种分类和评级。在学术界，中科院SCI分区被广泛应用于科研业绩奖励、职称评审等方面。许多高校和科研单位会按照中科院SCI分区的标准来加权计算科研成果的影响力。因此，对于科研工作者来说，了解中科院SCI分区的标准和方法，以及具体的分区结果，对于评估自己的科研成果和选择合适的期刊发表论文都非常重要。

CiteScore（或称为引用指数）是由全球著名学术出版商Elsevier于2016年12月基于Scopus数据源推出的期刊评价指标。CiteScore指数能够反映期刊在较长时间内的平均影响力。通过计算期刊过去四年内发表的文章被引用的次数，这使得该指标能够更准确地评估期刊的影响力和学术价值。

自引率的计算公式为：自引率 = （期刊自己发表的文章被自己引用的次数） / （期刊自己发表的文章总数）。其中，期刊自己发表的文章指的是该期刊所发表的所有论文，包括文章、综述、简报、通讯等各类论文。如果自引率过高，可能会影响到该期刊的学术声誉和权威性。

中科院分区表

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
否 否 物理与天体物理 4区
PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理
4区

JCR 分区（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER ESCI Q2 22 / 79

72.8%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER ESCI Q2 37 / 79

53.8%

CiteScore 分区（2024年最新版）

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
6.7 0.856 0.799
学科类别 分区 排名 百分位
大类：Physics and Astronomy 小类：Condensed Matter Physics Q1 84 / 434

80%
大类：Physics and Astronomy 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 66 / 284

76%
大类：Physics and Astronomy 小类：Electrical and Electronic Engineering Q1 185 / 797

76%
大类：Physics and Astronomy 小类：Materials Chemistry Q2 81 / 317

74%

文章摘录

  • Electromechanical and photoelectric properties of a novel semiconducting Janus InGaSSe monolayer Author: Zhong, Li; Li, Xiaobao; Wang, Wei; Xiao, Xinle Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/012701
  • Gate tunable spatial accumulation of valley-spin in chemical vapor deposition grown 40 degrees-twisted bilayer WS2 Author: Zhao, Siwen; Shao, Gonglei; Han, Zheng Vitto; Liu, Song; Zhang, Tongyao Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/012001
  • The twisted two-dimensional ferroelectrics Author: Zhang, Xinhao; Peng, Bo Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011002
  • Review of phonons in moire superlattices Author: Li, Zhenyao; Lai, Jia-Min; Zhang, Jun Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011902
  • 75 GHz germanium waveguide photodetector with 64 Gbps data rates utilizing an inductive-gain-peaking technique Author: Li, Xiuli; Zhu, Yupeng; Liu, Zhi; Peng, Linzhi; Liu, Xiangquan; Niu, Chaoqun; Zheng, Jun; Zuo, Yuhua; Cheng, Buwen Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/012301
  • Interface engineering in two-dimensional heterostructures towards novel emitters Author: Li, Hua; Ling, Jinyang; Lin, Jiamin; Lu, Xin; Xu, Weigao Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011001
  • Recent progress on fabrication and flat-band physics in 2D transition metal dichalcogenides moire superlattices Author: Huang, Xinyu; Han, Xu; Dai, Yunyun; Xu, Xiaolong; Yan, Jiahao; Huang, Mengting; Ding, Pengfei; Zhang, Decheng; Chen, Hui; Laxmi, Vijay; Wu, Xu; Liu, Liwei; Wang, Yeliang; Xu, Yang; Huang, Yuan Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011901
  • Interaction of moire excitons with cavity photons in two-dimensional semiconductor hetero-bilayers Author: Gao, Yuchen; Ye, Yu Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011903

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